北京
来源：环球网
【环球网科技综合报道】11月19日消息，据trendforce报道称，三星电子将于2026年底把新一代1c DRAM（16nm级第六代）月产能提升至20万片晶圆，约占其DRAM总产量的三分之一，规模创公司历史扩产纪录。
外媒形容其为“三步走”路线图，现已全面启动：2025年底先达6万片/月，2026年二季度再增8万片，四季度追加6万片，每个节点均以“量产就绪”为标准。
据ETNews报道，新增产能将通过对现有产线进行工艺升级与平泽P4工厂的新投资共同完成；同时，已暂停两年的平泽P5产线亦全面复工，计划2028年投产，专司下一代HBM与1c DRAM，为后续技术迭代预留空间。三星表示，AI服务器、边缘计算及高端PC对高带宽、低功耗DRAM的“提前锁单”是此次激进扩产的核心动力。
据外媒测算，三星目前DRAM总产能约65–70万片/月，若2026年1c DRAM达到20万片/月，将贡献公司DRAM产出近30%，比2022年半导体景气周期新增的13万片更高。
据ZDNet报道，三星竞争对手SK海力士亦公布对应时间表：2025年启动1c DRAM量产，2026年通用DRAM产出的一半以上切换至1c节点，并同步构建LPDDR、GDDR完整产品线。（青云）
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