北京
分享至
来源：市场资讯
（来源：SEMI）
请登录 SEMI Europe官网 完成参会注册：
https://www.semi.org/eu/event/unlocking-next-gen-part-coating-opportunities-with-atomic-layer-deposition-ald
（请复制到浏览器打开）
大半导体产业网消息，11月19日，2025英特尔技术创新与产业生态大会在重庆开幕。英特尔CEO陈立武发表公开演讲。
会上，英特尔宣布公司18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术，实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比，18A工艺在相同能耗下性能提升 15%，晶体管密度提升30%。
英特尔表示，该技术是英特尔下三代技术的基石，公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
