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(来源:SEMI)
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https://www.semi.org/eu/event/unlocking-next-gen-part-coating-opportunities-with-atomic-layer-deposition-ald
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大半导体产业网消息,11月19日,2025英特尔技术创新与产业生态大会在重庆开幕。英特尔CEO陈立武发表公开演讲。
会上,英特尔宣布公司18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升 15%,晶体管密度提升30%。
英特尔表示,该技术是英特尔下三代技术的基石,公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。
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