近期 HUAWEI 应该即将要官宣 Mate 80系列,Mate 80系列会搭载什么处理器是大家非常关心的问题,据网传HUAWEI Mate 80系列将会配备 Kirin 9030 处理器,消息源博主 @定焦數碼對於 HUAWEI Mate 80系列配备地处理器的评价是极好,极沸腾。
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之前鲲鹏930 有曝光过细节,从之前的情况判断,Kirin 9030 处理器可能会采用 5nm 工艺,之前有博主爆料表示,现在的国产 N+3 工艺,网传能够达到 125mtr 的消息应该比较准确,专利显示的 H210G56 指标,计算下来是 125mtr 的布线密度。 博主认为如果真的成功了,那国产 5nm 工艺就能够达成了。
据现在网传信息显示,中芯国际的 N+3 工艺具有显著的晶体管密度,能够达到了 125MTr/mm,如果以 14nm(密度约35MTr/mm)工艺作为N,N+3提升了高于250%的密度。 中芯国际 N+3 的晶体管密度在台积电的 N6(113MTr/mm)与 Samsung 早期的 5nm(127MTr/mm)工艺中间,类似于台积电 5.5nm 的工艺。
很多人认为 N+3 可能会是等效 5nm,但 N+3 的实际性能功耗应该对标台积电的N7P(7nm增强版)和 N6 工艺,所以从数据上分析,中芯国际 N+3 在相同晶体管数量下,能效比起台积电的 N5/N4 工艺,大概有 15%~20% 的落后。 有相关人士分析这个情况的原因主要是因为EUV光刻机的短缺,使得工艺复杂度受限,不过对于这个技术进步已经能够让国产芯片突破非常多技术制约。
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