AI数据中心电源迎来碳化硅时刻，芯联集成G2.0平台抢滩增量新高地

在新能源汽车领域实现SiC MOSFET规模化应用后，AI算力爆发催生的高效电源需求正成为第三代半导体产业的新增长引擎。

芯联集成顺势推出达到国际先进水平的碳化硅G2.0技术平台，以更先进的8英寸制造技术，“高效率、高功率密度、高可靠”的核心优势，精准切入AI数据中心电源这一爆发式增长市场，为产业升级注入强劲动力。

芯联集成在碳化硅业务领域已展现出强劲的增长势头。2024年，公司SiC MOSFET收入突破10亿元，同比增长超100%。基于当前发展态势，公司预计2025年该业务仍将实现50%以上增长。随着AI数据中心电源需求的加速释放，公司预计2026年在AI电源领域将实现更快增速，这一新兴市场正成为推动公司碳化硅业务持续增长的重要引擎。

市场拐点显现：AI数据中心电源成SiC下一个主战场

随着大模型训练、自动驾驶、智能制造等应用的快速推进，全球算力需求正迈入指数级增长通道——芯联集成董事长赵奇曾指出，此类应用的持续落地，推动对高效功率管理的需求显著提升，直接带动AI服务器与数据中心建设热潮。

从行业数据来看，2025年全球AI服务器出货量预计同比增长24.3%，相关市场规模将达到1587亿美元；而作为算力建设核心区域，工信部数据显示，截至2025年6月底，全国在用数据中心标准机架数已达1085万架，百度、阿里等企业均启动大规模算力集群投资计划。

但算力的爆发背后，是能源支撑的迫切需求。正如微软CEO纳德拉公开提及的，其库房中堆积的英伟达GPU芯片因缺乏足够能源支撑机房建设暂未投入使用，这一现象折射出“算力-能源”协同的紧迫性。从硬件端看，英伟达等芯片厂商推出的新一代算力平台，单芯片功耗已突破2000瓦，较上一代提升近1倍；而基于该架构的AI服务器机架，机架功率需求更是向240千瓦乃至更高迈进。

传统电源方案在此背景下尽显局限：一方面，硅基器件开关损耗高，在高功率密度场景下，硅基方案效率与散热瓶颈凸显；另一方面，硅基器件散热性能弱，需配备庞大散热系统，不仅占用机房空间，还推高数据中心PUE（能源使用效率）；同时，传统低压架构（12V/48V）在高功率传输中线路损耗大，无法适配下一代高压直流（HVDC）供电体系，成为算力密度提升的关键瓶颈。

正是在此需求下，碳化硅材料凭借高导热系数、高击穿电压、快速开关速度等优异特性，成为解决AI数据中心电源效率与散热瓶颈的核心方案。从实际应用效果来看，碳化硅的这些特性能够显著提升电源转换效率、优化散热结构并适配高压架构，有效降低数据中心的运营成本和PUE值。

芯联集成董事长赵奇进一步指出，新能源汽车不再是碳化硅MOSFET的单一主要应用市场，下一个大的应用领域将是AI——数据中心电源系统的高质量和高可靠性要求与汽车行业高度契合，而芯联集成在新能源汽车领域已实现SiC MOSFET总计装车量超100万台，车规功率模块装车量超200万台，这种超百万辆的量产经验，使其在数据中心电源领域具备确定性增长机会。也正是在这一市场背景下，芯联集成推出碳化硅G2.0技术平台，可完美适配固态变压器（SST）、高压直流（HVDC）等AI数据中心电源需求，恰是顺应产业趋势的关键布局。

技术突破引领：碳化硅G2.0平台核心优势

作为芯联集成面向新能源与AI双赛道的战略级产品，碳化硅G2.0技术平台采用8英寸更先进的技术，通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现了核心性能的全面跃升，达到国际同类技术最前沿水平。该平台全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛适用于新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场。

在核心性能指标上，G2.0平台电源版针对性优化寄生电容设计，通过封装优化强化散热，开关损耗降低高达30%，同时具备强化的动态可靠性设计，完美适配固态变压器（SST）、高压直流（HVDC）等AI数据中心电源核心需求。针对AI服务器电源高频化发展趋势，平台专门衍生了高频碳化硅器件系列，可显著提升电源转换效率与系统功率密度，为18千瓦乃至更高功率的PSU产品提供关键支撑。

在成本与可靠性平衡上，G2.0平台继承了芯联集成在车规级领域的严苛标准，在满足AECQ101和AQG324认证基础上，进一步从时间、电压应力、温度应力三个维度加严考核，充分保障数据中心电源长期运行的稳定性。同时，依托8英寸产线的规模化生产优势，平台实现了单位成本的精准控制，为碳化硅技术在AI数据中心的大规模普及奠定基础。

全链布局蓄力：芯联集成的AI电源增量空间与核心底气

碳化硅G2.0技术平台的性能突破，并非孤立的技术成果，而是芯联集成在AI数据中心电源领域长期战略布局的关键落子。若说G2.0平台为公司叩开了AI电源高增长市场的大门，那么其围绕“器件-方案-生态”构建的全链条能力，则是将技术优势转化为市场增量、支撑长期发展的核心支柱。为充分挖掘AI数据中心电源的爆发潜力，公司早已跳出单一器件供给的局限，从产品矩阵、场景适配到产业协同多维度发力，搭建起坚实的增量引擎。

多维布局构建增量引擎

在AI数据中心电源领域，芯联集成已构建起覆盖“功率器件-磁器件-驱动IC-MCU”的一站式芯片系统代工解决方案，相关产品占到服务器电源BOM成本的50%以上，形成了显著的产品协同优势。

产品布局上，除碳化硅G2.0平台外，公司还搭建了完整的功率器件矩阵：氮化镓领域推出40V-650V多规格器件；低压MOSFET实现25V-200V全系列覆盖，性能参数比肩欧美主流厂商；同时配套提供定制化、低损耗的磁器件，以及55nm/40nm工艺的MCU定制化开发服务，可全面适配现阶段三级电源架构及下一代HVDC、SST架构。

市场拓展方面，公司8英寸SiC MOSFET器件已送样欧美AI公司，依托服务欧洲车企积累的客户资源与渠道优势，商业化落地进程正在加速。随着AI服务器电源需求的爆发式增长，公司预计该领域将实现高于碳化硅整体业务的增速发展，成为继新能源汽车之后的核心营收增长点。

此外，通过与豫信电科、超聚变等企业的战略合作，公司正深度切入算力基础设施产业链，推动电源模块产品产业化落地，打开长期增长空间。

核心能力支撑战略落地

芯联集成之所以能在AI数据中心电源赛道快速突破，源于其在技术、产能、生态三大维度的深厚积累：

技术层面，公司已完成四代碳化硅MOSFET产品技术迭代及沟槽型产品技术储备，良率和性能参数达到世界先进水平。车规级领域百万辆级的量产经验，形成了可迁移的高可靠性设计、测试验证体系，使公司能够快速响应数据中心电源对稳定性和长寿命的严苛要求。截至目前，公司在功率半导体相关领域的专利申请已超过1100件（截至2025年上半年末），为技术创新提供坚实保障。

产能层面，国内首条8英寸碳化硅 MOS产线已实现批量量产，当前产能达到2000片/月，且生产线利用率接近满产状态。8英寸产线不仅使单位成本降低30%-40%，更通过更大晶圆尺寸提升生产效率，能够满足AI服务器电源规模化应用的产能需求。同时，公司与国内头部衬底、外延厂商深度合作，共同推动8英寸产业链成熟，实现全链条自主可控。

生态层面，公司构建了“联合定义、协同研发、风险共担”的深度绑定模式。在AI领域，芯联集成与超聚变设立联合实验室，聚焦AI服务器电源管理芯片研发；在供应链端，建立符合车规级标准的供应商管理准入体系，与国内外主流供应商形成紧密战略合作；在技术协同上，通过专利共享、联合研发等方式，降低产业链整体研发风险，提升技术落地效率。这种开放协同的生态布局，使公司能够快速响应AI行业的技术迭代需求。

结语：技术赋能产业，创新决胜未来

随着“算力-能源”深度融合趋势的加剧，AI数据中心电源的高效化、高压化、高功率密度转型已成为必然。芯联集成碳化硅G2.0技术平台的推出，不仅展现了公司在第三代半导体领域的技术引领地位，更精准把握了产业升级的核心机遇。

依托全链条技术能力、规模化产能保障与开放协同的生态布局，芯联集成正从新能源汽车功率半导体领军者，向AI数据中心电源核心解决方案提供商跨越，在助力中国算力产业高质量发展的同时，也将持续释放“新能源+AI”双赛道的增长潜力，书写半导体产业创新发展的新篇章。