IT之家 11 月 17 日消息,三星力求在 2 纳米时代重振其晶圆代工业务,目前看来已步入正轨。该公司近日公布了其下一代制程工艺的首批量产成果,显示出相较前代工艺显著的性能提升。即将搭载于 Galaxy S26 的 Exynos 2600 芯片即采用该工艺制造。此外,据称三星已成功为这一先进制造技术争取到其他芯片客户。
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据 Dailian 报道,三星在其第三季度财报中披露,其第一代 2 纳米全环绕栅极(Gate-All-Around, GAA)制程相较于第二代 3 纳米技术有了显著提升:性能提升 5%,能效提升 8%;芯片面积更缩减了 5%,表现颇为亮眼。
近年来,三星晶圆代工部门持续面临行业龙头、同时也是主要竞争对手台积电(TSMC)的激烈竞争。根据 2025 年第二季度数据,台积电在全球晶圆代工市场所占份额已超 70%。不过,行业分析人士普遍认为,向 2 纳米技术的过渡有望为三星缩小与台积电的差距创造契机。
据IT之家了解,三星与台积电均在 2 纳米节点采用 GAA 架构,但两者技术路径存在差异:台积电系首次在 2 纳米节点引入 GAA,而三星早在其上一代 3 纳米制程中已率先应用该架构。这意味着三星在 GAA 技术上已积累了一代量产经验,或具备一定先发优势。其实际竞争力如何,尚待搭载 Exynos 2600 芯片的 Galaxy S26 手机正式上市并接受市场检验后方能揭晓。
关键仍然在于良率,通常认为 60% 以上的良率适合量产。台积电在 2 纳米工艺上实现了约 80% 的良率,被认为已进入稳定量产阶段。据悉,三星电子已将良率提升至 50%~60% 的水平。
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