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近日，美国国防高等研究计划署（DARPA）与德克萨斯宣布斥资14亿美元，打造一座面向3D 异构集成的先进封装厂，将负责研究3D异构集成（3DHI）、堆叠和组合等多种材料和芯片类型，以提升美国在军事、国防、AI 和高性能计算的能力。
这座先进封装厂是DARPA“下一代微电子制造计划（NGMM）”的基础设施，将从“德克萨斯电子研究所”（TIE）基础上进行翻修。德克萨斯州政府将投入5.52亿美元，DARPA 则补足剩下的8.4亿美元。
该计划的执行董事Michael Holmes 表示，“NGMM 的核心就是通过3D异构整合，带来微电子革命”。NGMM 五年任务完成后，这座先进封装厂预计将能自主营运、实现给自足。
通过小芯片堆叠已经驱动许多全球最先进的处理器，DARPA 预测，硅与硅的堆叠（silicon-on-silicon stacking）性能最多只能比2D 整合提升30倍；但如果改用氮化镓、碳化硅与其他半导体等材料，则有望提升100倍。
新的先进封装厂将确保这类堆叠芯片能在美国本土完成原型与制造。许多新创也出现在发表会上，它们正在寻找一个能进行原型制作与初步量产的地方，而该先进封装厂能帮助他们避免掉入「实验室到量产落差」之中。
TIE CEO Dwayne LaBrake 表示：“坦白说，我们是一家初创公司。我们比一般的初创公司有更多的发展空间，但我们必须自力更生。”
编辑：芯智讯-浪客剑
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