落后ASML 20年？极紫外光源问世，外媒：打破美荷“联合封锁”

导读：落后ASML 20年？极紫外光源问世，外媒：打破美荷“联合封锁”

近日，美国投行高盛发布的最新研报提及，我国自主研发的光刻设备目前主要仍停留在65nm制程阶段，与荷兰ASML等国际行业龙头相比，“技术差距约20年”。该报告指出，当下全球制造正加速向5nm乃至更先进的节点迈进，而这一领域高度依赖极紫外（EUV）光刻机，目前全球仅有ASML具备量产能力。

值得留意的是，ASML的EUV系统关键零部件来源于美国，所以受到美方出口限制，无法供货。受此情况影响，我国制造在高端制程环节面临着较为明显的瓶颈。

当前，国内最为先进的7nm芯片量产，主要仍依赖ASML的深紫外（DUV）设备，并借助“多重曝光”技术达成。基于此情况，高盛作出判断，认为现阶段的光刻机技术水平大致相当于65nm水准。该机构还进一步指出，ASML从65nm技术跨越至3nm技术，历时整整二十余年，投入约400亿美元，故而认为中国要在短期内实现同等程度的技术突破“难度极高”。

然而，高盛的这一悲观预期，显然低估了中国科研体系所具备的韧性与发展速度。现实必将有力地回击此类唱衰论调。尽管中国在高端科技领域起步相对较晚，但其崛起速度却十分惊人。在短短四十年间，我国已在航天、新能源、人工智能等诸多领域跻身世界前列。海外针对我国科技发展的唱衰论调，已然不攻自破。

在2023年，成功攻克了28nm光刻机的关键技术，其整机国产化率超过了85%，并且首台设备已正式交付投入使用。尽管这一成果仍属于ArF光刻的范畴，但其实现量产标志着光刻技术已然取得了实质性的突破，彻底粉碎了高盛所谓“停留在65nm阶段”的论断。

值得特别提及的是，并非独自奋战，整个半导体产业链正在协同合作、共同攻关。从核心光源到精密光学系统，各个环节均在有条不紊地稳步推进。

在EUV光刻机领域，光源是技术壁垒最高的环节。早在2022年，科研团队便率先成功点亮了DPP（放电等离子体）极紫外光源；很快，该光源的原型机问世；到2024年上半年，其核心指标全面通过测试，这一成果令业内为之震撼。

所研发的光源波长达到了13.5nm。与美国Cymer公司采用的LPP（激光等离子体）方案不同，毅然选择了更具挑战性的DPP技术路径，即通过高压放电生成等离子体，进而激发极紫外光。

相较于荷兰ASML采用光学镜组折射来获取极紫外光的传统模式，这种借助粒子加速辐射目标波段的方案，其技术难度更为显著。然而，它具备更高的转换效率与输出精度。坚持自主创新之路，意味着光刻技术不再一味照搬他国方案，而是凭借原创技术开拓全新的发展路径。这一进展不仅成功突破了外部的封锁，更象征着从“追赶”到“并跑”，乃至迈向“领跑”的关键转折。

当前，携手国仪超精密装备公司，斥资11亿元建设的EUV光源量产线已开启试运行阶段，光源功率能够稳定输出达30瓦。尽管与ASML的商用EUV设备相比仍存在一定差距，但30瓦的稳定输出已足以支撑原型机的核心实验。与此同时，清华大学正在积极推进稳态微聚束（SSMB）光源的研究工作，未来有望实现更高强度的极紫外光输出。

这些看似各自独立的成果，正逐渐汇聚成一张协同推进的技术网络。从光源、材料到整机集成，构建起了中国自主光刻的完整生态体系。事实充分证明：外部封锁越严苛，中国的发展动力就越强。高校、科研机构与企业齐心协力、合力攻关，正让国产EUV光刻机距离实质性突破仅一步之遥。