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11月14日，有投资者在互动平台向维信诺（002387.SZ）提问，最新报道突破世纪难题北京大学孙仲团队阻变存储器（RRAM）【或ReRAN】凭借纳米级制程、低功耗（较NOR Flash降低80%）和高密度（单芯片可达1TB）优势，成为下一代非易失性存储的核心方向。维信诺在RRAM领域有具体成果吗？关键突破的意义是什么？具体合作研发的单位有哪些？
维信诺表示，公司已完成世界首颗采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）存储技术AMOLED显示驱动芯片的开发和认证。该新型AMOLED显示驱动芯片由维信诺与驱动芯片设计公司昇显微电子联合开发，存储器设计公司睿科微电子提供技术支持。相比于传统芯片，该驱动芯片具有成本更低、面积更小、效率更高等优势。目前该驱动芯片已完成开发和认证，满足可量产的要求。
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