突然看到JEDEC(固态技术协会)的一个标准文件,上面显示,固态硬盘里面的数据,只要保证存储一年的时间不损坏,就算是符合标准了,我的心里立马泛起了波澜。那一年之后,这些数据会怎样呢?我的数据在一年之后还安全吗?
我们日常用于存储的设备,除了固态硬盘,还有机械硬盘和U盘,内存卡,以及手机里的内存等,那么,这些设备是否也都只能存储一年呢?
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如果你有一样的疑问,那就跟着我一起,今天好好研究一下这个问题。
首先,我们看看硬盘的存储原理。
机械硬盘通过磁头在旋转的盘片上读写数据,盘片表面涂有磁性材料,磁头通过改变磁性方向记录0/1信息。磁性方向的改变,属于机械变化,相对牢靠,在没有强磁场、剧烈震动等外界因素影响的情况下,5-10都不会发生变化。在实验室环境,条件适合的情况下,甚至能超过50年。
固态硬盘是采用NAND闪存来存储数据的,它是一种靠存储电荷来表述存储数据的技术。这些存储电荷的单元,就叫做闪存单元,每个闪存单元,通常由一个或者多个晶体管组成。
这个闪存单元,分为SLC(单层单元)、MLC(多层单元)、TLC(三层单元)和QLC(四层单元)等类型。具体的信息对比我就不都说了,大家可以看下图。
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我们以SLC为例,1个晶体管存储1个bit,8个晶体管就可以存储1个字节。这里我多说一句,英文字母,数字,运算符号,这些,一个字母就是1个字节,我们的汉字,一个字是占两个字节的。
晶体管其实是一个比较大的泛称,具体到固态硬盘里面,这个类型是浮栅晶体管。浮栅的字面意思,就是漂浮的栅栏。这个形容非常形象,因为浮栅晶体管确实就是里面是由多晶硅组成,外面是一层二氧化硅绝缘体。
当控制栅得到高电压的时候,电子产生隧穿效应,通过绝缘层,进入到浮栅。这些电子被困住,留在浮栅里面,就是我们保存的数据。
如果要释放浮栅里的电荷,也就是要清空数据,只要施加反电压即可。
如果要读取里面的数据,只需要测试源极与漏极是否导通就行。原理是得到电压,衬底里的电子就会移动,在源极与漏极之间形成一条可以导通电流的线路,视为1。如果被困在浮栅里的电子比较多,衬底里的电子不够排列,那就无法导通,视为0。
这就是NAND闪存存储、删除、读取数据的原理。
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从这个原理我们可以看出,NAND闪存里面,主要磨损的部件,就是这个二氧化硅绝缘层,因为电子要从上面穿来传去嘛。绝缘层经过长期的磨损,肯定就不牢靠了,电子存在自己从浮栅跑出来,进入到衬底的可能。也就是我们前面提到的,保存的数据,有丢失的风险了。
有人说,那你把这个绝缘层加固,搞厚一点不就行了吗?那么,电子隧穿需要的电压就要增加,速度也会大大降低,也就是,我们存储数据的速度就会大幅度减慢。所以,这肯定是不行的。
由于SLC需要8个晶体管才能存储1个字节,成本是相当高的,所以,后来又出现了MLC、TLC和QLC。这些类型的原理跟SLC类似,但比SLC复杂。SLC的浮栅内部,就两种状态,要么有电子,要么没有电子。而MLC、TLC和QLC通过精准控制浮栅内电子的多和寡,让同一个浮栅表达出了多种状态。最终的结果,到QLC的时候,一个浮栅晶体管存储的数据,达到了SLC的4倍,4个bit。这四种类型闪存单元上面有提到,具体信息可以上翻查看。
但是,由于QLC一个浮栅晶体管,要表达多种状态,所以,对于其体质的要求也更高了。SLC只要判断浮栅里有没有电子就行,所以,电压的高低,其实影响不大,哪怕绝缘层磨损严重,也能很容易判断。但是,QLC要通过电压的精准区分来判断浮栅内的状态(具体来说,是有16种状态),绝缘层磨损稍微大一点,这个状态就不准确了。
另外,SLC操作数据存储、读取、擦除的时候,只需要进行充放电就行,一次就可以完成。但是,QLC一个浮栅要表达16种状态,所以,一次操作,电子要穿越绝缘层很多次,磨损大大增加。
最终的结果就是,两者的寿命差距巨大,SLC的寿命最高可达QLC的1千倍。
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说完原理,我们再来说一开始的问题。其实,这个标准里所说的数据保存一年,是在完全断电的情况下,并且是对于产品的最低要求。我们只要隔个三五个月给固态硬盘、U盘等通一下电,这个断电时间就要重新开始计算了。
至于固态硬盘、U盘通一下电就能进行一次刷新的原因,是固态硬盘里面有控制器存在,控制器在通电并且不需要进行数据读写的时候,会对所有存储单元进行检查,发现电荷不足,会重新写入。
另外,影响这些固态存储设备存储数据时间的一个重要因素是温度,温度越高,存储时间越短。根据JEDEC(固态技术协会)的指南,消费类的固态在30°C的环境下,可离电保存52周。而温度降低到25°C的时候,这这个时间就会拉长到105周。相反,温度提高到35°C的时候,这个时间就会缩减到26周。
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虽说,环境温度对于固态设备存储数据的时长影响非常明显,但是,这个因素并不是我们所能控制的。我们所能做到的,就是定时给自己的存储设备通一下电,避免设备长时间离电。
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