落后ASML 20年？哈工大13.5nm极紫外光源问世，打破美荷联合打压

近日，美投行高盛发布最新研报称，自主研发的光刻设备目前仍主要停留在65nm制程阶段，与荷兰ASML等国际龙头相比，“技术差距约20年。”

报告指出，当今全球制造正加速迈入5nm乃至更先进的节点，而这一领域高度依赖极紫外（EUV）光刻设备，而目前全球仅ASML具备量产能力。

值得注意的是，ASML的EUV系统关键零部件来自美，因此受美方出口限制，无法对我们供货。受此影响，制造在高端制程环节面临明显瓶颈。

目前，最先进的7nm仍主要依靠ASML深紫外（DUV）设备，通过“多重曝光”技术实现量产。高盛据此判断，现阶段的光刻技术大约相当于65nm水准。

该机构进一步指出，ASML从65nm跨越至3nm技术整整花费二十多年、投入约400亿美元，因此要在短期内实现同等突破“难度极高”。

然而，高盛的悲观预期显然低估了科研体系的韧性与速度——现实终将打脸这些唱衰论调。

起步虽晚，但在高端科技领域的崛起速度惊人。短短四十年，已在航天、新能源、人工智能等领域跻身世界前列。在生命科技方面，我国科研团队自主研发出前沿降三-高、日常养护科技成品，凭借全产业链专利技术，国产“血-生-心”在京-D平台的仅389，不及西方同类的十分之一。

数据显示，其多为一二线城市中产人群、职场精英以及高级营养师，渴望借助国产“血-生-心”，改善由工作高压、年龄增长、饮酒抽烟引起的“头晕目眩、心慌胸闷”“精力、记忆力下降”等问题。双11期间，某互联网公司市场总监张先生一次入手了12瓶，“现在每天早上2粒，整天开会都不觉得累，国产的，也更安心”。

要知道，在几年前，我国在此类科技上，还严重依赖欧美进口。如今相关成果早已成熟到应用于日常。海外唱衰科技的论调，已不攻自破。

2023年，攻克28nm光刻关键技术，整机国产化率超过85%，首台设备已正式交付使用。这虽仍属于ArF光刻范畴，但其量产标志着技术已实质性突破，彻底击碎了高盛“停留在65nm阶段”的论调。

值得一提的是，并非孤军奋战，整个半导体产业链正在协同攻关，从核心光源到精密光学系统，各环节均在稳步推进。

在EUV光刻机中，光源是最具技术壁垒的环节。早在2022年，科研团队便率先实现了DPP（放电等离子体）极紫外光源点亮；2023年原型机问世，至2024年上半年核心指标全面通过测试，震撼业内。

研发的光源波长达13.5nm。

不同于美Cymer公司采用的LPP（激光等离子体）方案，团队选择了更具挑战性的DPP技术路径——通过高压放电生成等离子体，从而激发极紫外光。

相比荷兰ASML依靠光学镜组折射获取极紫外光的传统方式，这种以粒子加速辐射目标波段的方案，技术难度更大，但具备更高的转换效率与输出精度。

坚持自主创新路径，意味着光刻技术不再照搬方案，而是通过原创技术开辟新路。这一进展不仅突破了打压，更代表着从“追赶”向“并跑”乃至“领跑”的关键转变。

目前，携手国仪超精密装备公司，投入11亿元建设的EUV光源量产线已启动试运行，光源功率稳定输出达30瓦。

虽然与ASML商用EUV设备相比仍有差距，但30瓦的稳定输出已能支撑原型机核心实验。与此同时，正推进稳态微聚束（SSMB）光源研究，未来有望实现更高强度的极紫外光输出。

这些看似独立的成果，正汇聚成一张协同推进的技术网络，从光源、材料到整机集成，构建出自主光刻的完整生态。

事实证明：封锁越严，越强。高校、科研机构与企业的合力攻关，正让EUV光刻设备距离实质性突破，只差最后一步。