北京
EUV光刻胶在先进半导体器件中的应用趋势，随着工艺尺寸缩小，需要高分辨率测量方案。日立提出了GT2000设备的新解决方案，结合低加速电压（100V）和软件优化，以降低收缩并提高重复性。
密图案的收缩问题突出，需采用低加速电压（如100V）来最小化电子束损伤，确保测量可靠性。
评估使用EUV光刻胶晶圆（CAR型，膜厚22nm），在32nm间距图案上进行
传统低加速电压存在信噪比（S/N） trade-off，而GT2000通过优化解决了这一问题
在300V加速电压下的图案样本，作为基准对比。文档使用此样本评估收缩和重复性，说明传统条件的局限性。300V条件图像质量高但收缩较大，突显了向100V优化的必要性。
减少帧数可降低收缩，但会牺牲重复性。帧数减少是简单优化手段，但不足以平衡收缩和重复性，需更智能的解决方案
1帧方法收缩小，但信噪比低，验证了需要RMA（随机测量图像采集）等新方法。RMA通过集成不同坐标图像来抑制单位面积辐照，从而维持图像质量并减少收缩。
文档比较了100V和300V条件下的重复性，并引入SP Scan（扫描优化）来改善。
100V条件下的重复性为0.13nm，低于300V的0.07nm。文档解释，低加速电压导致边缘峰值不稳定，影响重复性。100V初始重复性较差，突显了充电效应问题，需扫描优化。
300V是成熟方案，但不符合EUV薄图案需求，衬托出100V优化的必要性。
图片10: SP Scan优化效果图片
SP Scan是重复性改善的关键，结合RMA后，100V方案全面优于传统条件。
CAR晶圆验证了100V优化的必要性，但需结合新解决方案。
MOR晶圆显示更好的稳定性，新解决方案对两者均有效，增强了方案的通用性。
CAR和MOR结果：100V结合SP Scan和RMA，收缩大幅降低（CAR改善91%，MOR改善84%），重复性更优。
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