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传统基于溶液的钙钛矿发光二极管(PeLEDs)钝化方法常引入二次缺陷。
本研究天津大学张飞、高丽大学Jin Hyuck Heo和Sang Hyuk Im等人提出一种分子定制双界面钝化策略,采用无溶剂擦拭转移方法,实现均匀分子沉积且不诱发二次缺陷。具体而言,4-巯基吡啶(4-MPy)应用于埋底界面,2-巯基吡啶(2-MPy)应用于钙钛矿表面。在埋底界面,4-MPy稳定Ni³⁺态、减少氧空位并提升空穴注入效率;而在表面,2-MPy与未配位Pb²⁺有效配位,形成宽带隙复合物,抑制陷阱态并增强载流子限域。
优化后的PeLEDs实现了24.67%的最大外量子效率和95.01 cd/A的电流效率,为溶液加工多晶CsPbBr₃基PeLEDs中最高值。此外,在初始亮度1000 cd/m²下,器件工作半衰期显著延长近10倍。
研究亮点:
无溶剂擦拭转移技术避免二次缺陷
采用固态擦拭法实现4-MPy与2-MPy在双界面的精准沉积,避免传统溶液法导致的膜层溶解、再结晶失控与溶剂残留问题。双界面异构体分子协同钝化机制
4-MPy在NiOₓ界面稳定Ni³⁺并减少氧空位,2-MPy在表面通过双齿配位钝化Pb²⁺缺陷,形成宽带隙复合物增强载流子限域。性能突破:效率与稳定性同步提升
实现24.67%的EQE与95.01 cd/A的电流效率,为多晶CsPbBr₃基PeLEDs最高记录;在1000 cd/m²下工作半衰期提升近10倍,达32.8小时。
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Jin Kyoung Park et al. ,Molecularly tailored dual-interface passivation via solvent-free rub-on transfer for efficient and stable perovskite LEDs.Sci. Adv.11,eady4671(2025).
DOI:10.1126/sciadv.ady4671
https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.ady4671
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