水,是生命之源,也是无数物理、化学与生物过程的“隐形舞台”。然而,当水被挤压到仅几个分子厚的“二维夹缝”中时,它的电学性格一直成谜:垂直于界面的介电响应已被证实几乎“冻结”,而平行于界面的极化与导电能力却迟迟无法被直接测量。缺乏可靠实验手段,令理论预测在“巨大增强”与“完全屏蔽”之间摇摆,也阻碍了纳流控、储能、膜分离等技术的精准设计。
英国曼彻斯特大学L. Fumagalli、诺奖得主A. K. Geim合作团队合作首次用扫描介电显微镜(SDM)将0.1 kHz–1.1 GHz的电场“探针”伸进hBN纳米通道,对1–60 nm厚度范围内的受限水进行“面内”介电常数ε//与电导率σ//的定量成像。结果显示:当水层薄至≈1.5 nm(约4–5分子层)时,ε//骤增至1000±350,达到铁电体量级;同时σ//飙升至3 S m⁻¹,逼近超离子导体,比体相水高出4个数量级。作者将这一跨越归因于强限域诱导的氢键无序,使偶极集体翻转与质子快速交换同时成为可能。相关论文以“In-plane dielectric constant and conductivity of confined water”为题,发表在
Nature上,论文第一作者为 R. Wang和M. Souilamas 。
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实验的核心在于“让电场平行于界面”。如开篇图1a示意,团队用石墨底电极、hBN间隔层和顶部hBN“天花板”自组装出宽度约200 nm、高度h可调的液池,并在池底垫上一块50–200 nm厚的hBN“垫片”,把AFM探针与电极的垂直距离拉开,从而迫使电力线在水的平面内弯曲。图1b的AFM形貌证实,空池顶部有清晰可见的“下塌”,一旦充水便恢复原子级平整,确保通道被完全填满。图1c、d的介电影像更直观:空池在2 kHz–1.1 GHz始终呈暗色负对比;充水后对比瞬间转正,且随频率升高而逐渐褪色,暗示水层在低频端因高导电而“屏蔽”了电场,高频端则因介电极化再次响应。
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图1a) 宽带介电成像示意图。实验装置及器件结构示意图。顶部、底部和间隔层hBN呈浅蓝色,石墨接地电极呈黑色。水从背面入口填充。振荡电压施加于AFM尖端,测量的局部阻抗转换为介电频谱,如插图中示意所示。使用较厚的底部hBN以在水通道内产生面内电场。b) 高度30纳米器件的AFM显微图像,插图为暴露间隔层的轨迹。c) 空通道在特征频率2 kHz、2 MHz和1.1 GHz下的介电图像。d) 充水通道在相同频率下的介电图像。 e) 从c和d中提取的介电剖面(十行平均值),颜色编码。定义见方法部分。
图2a把上述“褪色曲线”定量成介电色散谱。30 nm水层的高频平台对应ε//≈74,与体相水几乎一致;而当h缩至5 nm、1.5 nm,平台高度不降反升,且特征频率从kHz移到MHz,直观说明“越薄越导电、越易极化”。图2b的系列影像进一步验证:同一通道在200 kHz仍亮,到6 MHz才转暗,频率越高、通道越薄,影像“熄灭”所需的频率越高,与图2a的谱线位移一一对应。
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图2a)三种代表性高度水的介电频谱示例。颜色编码符号为|dG/dz|曲线的峰值,归一化至低频幅值。误差条表示各频率下的随机噪声水平。实线为数值模拟的最佳拟合,虚线为假设水保持体水性质时的模拟结果。b) 相同三种通道在充水前后的SDM成像示例,显示不同频率下的介电对比度变化。
经过三维有限元模拟抽丝剥茧,图3a给出ε//随h的突变:>4 nm时ε//维持体相水平;一旦进入准二维区(h≲2 nm),介电常数跃升一个量级至1000,呈现铁电式增强。图3b的σ//曲线同样出现“峰”而非单调:3 nm以上σ//随1/h稳步增至0.1 S m⁻¹,可用“表面层+体相层”并联模型解释;但当h≈1.5 nm时,σ//额外蹿升至3 S m⁻¹,随后又在1 nm处回落,形成尖锐峰形。作者指出,这与氢键网络从“部分扰动”走向“全面失序”再到“过度约束”的三阶段演化相符——最无序的4–5层水既易集体翻转偶极,又为Grotthuss质子链提供高速通道,从而同步实现巨介电与超离子行为。
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图3a)面内介电常数实验数据。红色符号为频谱中高频平台的平均值,条形表示标准偏差。实线为视觉引导线,虚线为三层电容模型的拟合结果。 图b)纳米约束水面内导电性数据。灰色符号为文献中DC测量结果,显示一致性。
研究在结论中强调,这种“面内巨介电+超离子导电”的二元特性并非hBN专属,而可能普遍存在于所有原子级光滑的限域界面;调控表面化学即可按需定制ε//与σ//的数值。新建立的SDM宽带成像法亦可直接迁移至其他液体与离子体系,为纳米流体、超级电容、蓝能采集等应用提供迄今最精确的界面电学参数。作者同时展望,下一步将把时间分辨与空间分辨结合,实时捕捉氢键翻转与质子转移的协同动力学,让“二维水”真正走出实验室,走进器件。
来源:高分子科学前沿
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