半导体扶持四重奏！深圳第二批战新产业资金申报启动

2025年9月30日，深圳市发展和改革委员会发布“关于发布2025年第二批战略性新兴产业专项资金项目申报指南的通知”，旨在贯彻落实贯彻落实《深圳市人民政府关于发展壮大战略性新兴产业集群和培育发展未来产业的意见》《关于加快发展新质生产力进一步推进战略性新兴产业集群和未来产业高质量发展的实施方案》及“20+8”产业集群相关领域政策，加快培育发展战略性新兴产业集群。

从支持类别和重点领域来看，围绕半导体与集成电路、生物医药、高端医疗器械、大健康、新能源、安全节能环保等战略性新兴产业重点领域，支持相关单位申报扶持计划。

其中，半导体与集成电路领域，重点开展集成电路设计流片、产业化、创新能力建设、国家项目配套等扶持计划。

集成电路设计流片扶持计划包括集成电路流片、国产EDA工具推广应用两大方向；产业化扶持计划聚焦高端芯片产品突破、核心设备及配套零部件突破、关键制造封装材料突破、高端封装测试水平提升、化合物半导体技术水平提升、尖端前沿技术突破等重点领域；创新能力建设扶持计划重点支持建设半导体与集成电路领域产业创新中心、IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台；国家项目配套扶持计划，对承担国家发展改革委集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划及重点研发计划的单位给予配套支持。

以下是半导体与集成电路领域部分内容：

一、集成电路设计流片扶持计划

（一）集成电路流片

扶持方向：

支持多项目晶圆（MPW）流片、全掩模工程产品流片。

扶持方式及资助金额：

（1）对于参与晶圆制造厂多项目晶圆（MPW）流片的企业、高校和科研院所，通过专家评审后，按照流片直接费用的30%给予资助，同一单位年度总资助额不超过300万元。

（2）对于首次完成全掩模工程产品流片（包括自组多项目晶圆流片）的企业、高校和科研院所，且工艺制程在28纳米及以下的，通过专家评审后，按照流片直接费用的30%给予资助，同一单位年度总资助额不超过1000万元。

以上项目采取事后一次性资助方式。

（二）国产EDA工具推广应用

扶持方向：

支持模拟、数字、制造、封测等集成电路EDA工具软件国产化。

扶持方式及资助金额：

（1）对购买国内企业研发的EDA工具并开展28纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的20%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过200万元。

（2）对购买国内企业研发的EDA工具并开展14纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的30%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过300万元。

（3）对购买国内企业研发的EDA工具并开展7纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的50%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过500万元。

以上项目采取事后一次性资助方式。对于同时申报两项及以上不同制程EDA工具资助的企业，年度资助金额上限可累加。

二、产业化扶持计划

（一）高端芯片产品突破

扶持方向：

（1）面向AI大模型场景需求，支持突破数据中心CPU、GPU、DSP、FPGA、ASIC等专用芯片，400G以上带宽DPU、100G以上激光器芯片、新型光电融合芯片等互联芯片，以及高性能高能效存储芯片。

（2）面向AI手机、AI眼镜、智能机器人等各类AI终端需求，研发高性能、高能效专用SoC主控芯片，支持存算一体、存内计算等新型架构处理器。

（3）面向新能源汽车万亿级市场，支持14纳米及以下车规级高阶智驾AI芯片、智能座舱SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的国产替代。

扶持方式及资助金额：

（1）对购买IP开展28纳米及以下制程高端芯片研发的企业，通过专家评审后，按照IP购买实际支付费用的20%给予资助，单一企业年度资助金额不超过300万元。

（2）对购买IP开展14纳米及以下制程高端芯片研发的企业，通过专家评审后，按照IP购买实际支付费用的30%给予资助，单一企业年度资助金额不超过500万元。

（3）支持企业开展AEC-Q系列可靠性标准认证、ISO 26262功能安全管理体系认证、AQG 324车规级半导体模块认证、ISO/TS 16949体系认证等车规级认证，对取得相关认证资质的企业，通过专家评审后，按照认证实际发生费用的50%给予资助，单一企业年度资助金额不超过100万元。

以上项目采取事后一次性资助方式。

（二）核心设备及配套零部件突破

扶持方向：

支持开展刻蚀、薄膜沉积、量测检测等核心设备及配套零部件技术研发。

扶持方式及资助金额：

（1）对于我市集成电路产线、中试线、实验线为国产设备提供验证服务的，通过专家评审后，按照验证服务费用的30%给予产线、中试线、实验线所属单位资助，最高不超过200万元。若集成电路产线、中试线、实验线为同一研制单位的同一型号设备提供多次验证服务的，仅对其首次验证服务给予资助。

（2）对于核心设备及零部件首次投入产线使用的设备研制单位，通过专家评审后，按经评审核定的产品研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予研制单位资助，单一型号设备及零部件最高不超过1000万元，同一研制单位最高不超过3000万元。

以上项目采取事后一次性资助方式。

（三）关键制造封装材料突破

扶持方向：

支持开展14纳米及以下先进制程光刻胶、研磨液、掩膜版等制造材料，临时键合胶、聚酰亚胺、底部填充胶、封装基板等先进封装材料的技术研发。

扶持方式及资助金额：

对于我市集成电路产线、中试线、实验线为国产关键制造及封装材料提供验证服务的，按照验证服务费用的30%给予产线、中试线、实验线所属单位资助，最高不超过100万元。若集成电路产线、中试线、实验线为同一研制单位的同一型号材料提供多次验证服务的，仅对其首次验证服务给予资助。

该项目采取事后一次性资助方式。

（四）高端封装测试水平提升

扶持方向：

支持凸块（Bump）、倒装（Flip Chip）、晶圆级封装（WLP）、重布线（RDL）、芯粒（Chiplet）、硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）、2.5D封装、3D封装、混合键合、背面供电、扇出面板级封装（FOPLP）、光电共封装（CPO）等一系列先进封装技术及配套关键材料的研发和产业化。

扶持方式及资助金额：

对于申报先进封装技术研发和产业化的项目，专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查后，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经审计核定的项目实际研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个项目不超过1000万元。该项目采取事后一次性资助方式。

（五）化合物半导体技术水平提升

扶持方向：

支持化合物半导体芯片、器件、装备及材料的推广应用。

扶持方式及资助金额：

对销售自研化合物半导体芯片、器件、装备及材料且相关产品年营业收入首次超过1亿元的企业，通过专家评审后，按照企业当年研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个企业最高不超过1000万元。该项目采取事后一次性资助方式。

（六）尖端前沿技术突破

扶持方向：

支持自主研发，突破关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术。

扶持方式及资助金额：

专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后：

（1）对突破关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术的集成电路领域攻关项目，按照项目研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个项目最高不超过3000万元。该项目采取事后一次性资助方式。

（2）对于集成电路制造、封测、装备、材料等领域自主研发取得突破、带动产业优势资源集聚的重大项目，按照项目固定资产投资给予项目单位一定比例的资助，单个项目最高不超过设定金额。该项目采取分阶段资助方式。

三、创新能力建设扶持计划

扶持方向：

支持建设半导体与集成电路领域产业创新中心、IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台。

扶持方式及资助金额：

1.对于成功申报国家产业创新中心的，给予不超过1:1的资金配套，本市配套资金和国家资助资金合计不超过项目总投资的50%，国家专项计划另有规定的，从其规定。项目资助金额按照国家资金拨付进度分阶段拨付。

2.对于建设符合我市产业布局的IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台的项目，专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查后，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经审计核定的平台实际建设投资（不含土建工程部分）的20%给予资助，单个平台累计不超过3000万元。该项目采取事后一次性资助方式。

四、国家项目配套扶持计划

扶持方向：

支持有关单位承担国家发展改革委开展的半导体与集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划。

扶持方式及资助金额：

对于承担国家发展改革委开展的集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划的单位，给予不超过1:1的资金配套，本市配套资金和国家资助资金合计不超过项目总投资的50%，国家专项计划另有规定的，从其规定。项目资助金额按照国家资金拨付进度分阶段拨付。