重庆
近日，日本瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布已完成3纳米汽车芯片的流片工作，该芯片由其印度诺伊达和班加罗尔团队主导设计，目前已开始向合作伙伴提供样品。
瑞萨印度区负责人Malini Narayanamoorthi向《经济时报》表示：“我们绝对是印度首家成功设计出3纳米汽车芯片的公司。”尽管具体商业化时间尚未确定，但这一进展标志着印度在高端芯片设计领域迈出关键一步。
此外，瑞萨正与印度Murugappa集团旗下的CG Power合作，在古吉拉特邦Sanand建设一家半导体封装与测试工厂（OSAT），进一步强化本土制造能力。
印度电子和信息技术部长Ashwini Vaishnaw在今年5月曾透露，瑞萨将成为印度首个从事3纳米芯片设计的设计中心，并称此举是印度迈向下一代半导体技术的重要里程碑。他还指出，ARM在班加罗尔新设立的研发中心也将聚焦包括2纳米在内的先进芯片设计。
Vaishnaw强调，印度拥有全球近20%的芯片设计工程师，政府正积极推动构建完整的半导体生态。目前，印度已推出多项人才培养计划，包括AICTE开设VLSI设计与技术、集成电路制造等新课程，目标在半导体设计领域培训8.5万名技术人员，并提供专业EDA工具。迄今已有超过4.5万名学生参与相关项目。
此外，印度还在NIELIT Calicut建立SMART实验室，携手Lam Research、IBM和普渡大学等企业与高校，计划培训10万名工程师。目前已完成超过4.4万人的培训工作。
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