1c DRAM争夺战，开启

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来源 ： 内容来自zdnet 。

主要存储器企业正加快推进 1c（第六代10纳米级）DRAM 投资。三星电子已从今年上半年开始建设量产产线，SK海力士则被认为正在讨论转产投资的具体方案，美光本月也获得了日本政府针对其1c DRAM新厂的补贴。

据业内21日消息，主要存储器企业正集中力量推进1c DRAM量产所需的新建和转产投资。

1c DRAM 是主要存储器企业计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其HBM4（第六代高带宽存储器）中率先采用1c DRAM。SK海力士与美光则计划先在服务器等通用DRAM领域应用1c DRAM。

三星电子在扩大1c DRAM产能方面动作最为激进。目前正在平泽第4园区（P4）建设新的1c DRAM量产线，同时也在华城17号线推动1c DRAM的转产投资。预计到今年年底，其可确保的产能最高可达 每月6万片晶圆。

SK海力士在今年7月发布2025年第二季度业绩时表示：“1c DRAM的转产投资将从今年下半年开始，明年将全面展开。目前正在制定经营计划，后续一旦有具体方案将对外公布。”

据业内推测，该转产投资很可能在利川M14工厂进行。M14原本是NAND产线，但此前已转为DRAM生产用途。目前据悉，SK海力士正在讨论拆除该厂旧有的DRAM设备，引入1c DRAM生产线的方案。

半导体业内人士指出：“1c工艺不仅可用于服务器用高附加值DRAM，还可能应用于HBM4E（第七代HBM），这是SK海力士重点关注的领域。虽然设备投资尚未最终敲定，但预计明年在前工序领域将有大规模投资落地。”

美光同样被认为将加快1c DRAM投资。日本经济产业省（METI）本月中旬宣布，将对美光正在广岛地区新建的DRAM工厂提供 最高5360亿日元（约合4.7万亿韩元） 的补贴。

该工厂的量产重心将放在 1γ（Gamma）工艺，计划在2027年投入运行。国内半导体业内普遍将1γ工艺视作对应于1c DRAM的工艺，美光预计也将在HBM4E中采用该工艺。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250919154604

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