【硬件资讯】SK海力士引入首台High-NA EUV，三星继续追加，最先进半导体制造技术将在存储行业深耕！

新 闻一：SK海力士宣布引进High-NA EUV，存储器业界首台量产型同类设备

2023年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000，随后台积电和三星都引入了相同型号的光刻系统。业界普遍认为，High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。

SK海力士宣布，已将存储器业界首款量产型High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机引进韩国利川M16工厂，并举行了设备入厂庆祝仪式。多位ASML和SK海力士出席了当日举行的设备入厂仪式，庆祝引进下一代DRAM生产设备。

为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。2021年SK海力士在第四代10nm级（1a）DRAM中首次引入EUV光刻技术，将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，SK海力士决定引进超越现有EUV的下一代技术设备。

这次的High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200B，属于首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

通过引进High-NA EUV设备，SK海力士将简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固自身在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。

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SK海力士：ASML，你得理解我，我太想进步啦！

你说他不进步谁进步？其实在存储芯片领域，半导体制程一直是不怎么重要的，在CPU、GPU都用上5nm、7nm的时候，存储芯片才来到1X、1Y、1Z的节点，这也是芯片特性决定的。而现在，随着HBM内存需求和性能的激增，SK海力士先是确定要使用台积电代工的基础裸片，现在又计划引入High-NA EUV光刻机，你说他进步是不是合情合理吧！

新 闻 二：DRAM产业2025Q2营收季增17.1%，SK海力士扩大领先优势

今天TrendForce发布了新的调查报告，显示2025年第二季度普通DRAM合约价上涨、出货量显著增长，同时HBM出货规模扩张，全球DRAM产业营收为316.3亿美元，相比前一个季度增长了17.1%。此外，平均销售单价（ASP）随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温，加速DRAM原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。

在2025年第一季度里，SK海力士凭借在HBM3E上强劲的出货表现，取代了三星成为了DRAM市场的领头羊。在第二季度，SK海力士守住了位置，营收比起上一季度增长了25.8%，达到约122.3亿美元，市场占有率进一步上升，至38.7%。

得益于售价、位元出货量小幅度增长，在三星在2025年第二季度的营收比起上一季度增长了13.7%，达到103.5亿美元，不过市场占有率稍有下滑，跌至32.7%。第三名的美光虽然出货量增长明显，但是DDR4出货比重增加影响了平均销售单价，营收比起上一季度增长了5.7%，至69.5亿美元，对应的市场占有率为22%，也是有所下滑。

南亚科技、华邦电子和力积电在2025年第二季度的营收均有大幅度增长，主要原因是其成熟制程产品逐步衔接上前三大业者转换制程后无法满足的市场。其中南亚科技得益于PC OEM和客户端大客户积极补货，力积电主要动力来自于自家的DRAM产品。

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就因为SK海力士这比较舍得花钱，舍得投入来换取提升的做法，SK海力士在DRAM领域的市场地位也是风头无量了。DRAM整个产业在Q2季度增收17.1,%，这已经是很大的提升了，而SK海力士的增收则来到了增长了25.8%，市占率也进一步提升，考虑到前边所说的投入，也算是SK应得的了。

新 闻 三： 三星欲引入更多High-NA EUV光刻机，为2nm晶圆生产提速

三星在今年的SAFE 2025活动上展示了第三代2nm工艺，称为“SF2P+”，打算两年内推出。三星预计业界对2nm制程节点的需求会延续很长时间，为此不惜将1.4nm工艺的量产时间延后至2029年，通过优化2nm工艺的性能和能耗表现，提高良品率，使其更适合业界使用。

据Wccftech报道，Exynos 2600将是三星首款采用了SF2（2nm）工艺的SoC，三星希望可以尽可能减少亏损，提高良品率，以便在今年晚些时候开始大规模生产，向业界证明自己的实力。更了更好地实现目标，三星希望引入更多High-NA EUV光刻机，以便日后添加到生产中。虽然这些生产设备并不便宜，但是会带给三星一些必要的优势。

三星于今年3月在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，主要用于技术研发。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

三星原计划是在1.4nm工艺引入High-NA EUV光刻技术，如果提前至2nm工艺中加入，或许能帮助三星实现更高的良品率，并为未来的1.4nm工艺提前做好准备。不过目前ASML每年只能生产五到六台High-NA EUV光刻机，三星也不能随心所欲地订购。

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最后，三星这边也计划引入更多的High-NA EUV光刻机。其实三星这边最先引入的那批High-NA EUV光刻机还未投入量产，这个时间再引入可能意义并不是很大，不知道三星是怎样做的，是不是和SK海力士一样要投入到内存产业呢？

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