国产光刻机被唱衰，高盛：中国光刻机仅65nm，落后ASML20年

这两天，高盛的一份报告把“光刻机差距”再次推上了风口浪尖。报告直言：中国的国产光刻机目前只能造 65nm 工艺芯片，和 ASML 的水平相比，整整落后了 20 年。

这样的结论，不仅触动了半导体圈的神经，也让不少普通人再次感受到“被卡脖子”的现实。

可问题在于，真的就是“20 年差距”这么简单吗？如果把眼光仅仅放在工艺节点上，似乎的确如此。ASML 的最新 High-NA EUV 光刻机，已经被台积电、Intel、三星搬进了厂房，体积比一辆双层巴士还大，重达 180 吨，一台设备的售价超过 4 亿美元。而国产设备，依旧停留在 65nm DUV 这个门槛上，看起来像是两个时代。

但如果我们把镜头拉远，会发现这背后并不是单纯的技术“落下”，而是整个体系的差距。光刻机本身就是半导体产业链最复杂的环节之一，集合了上百个供应商、数万个零部件。

ASML 之所以能把 65nm 一路走到 3nm，靠的不仅是技术积累，更是 20 年持续不断的资金和合作伙伴投入。数据显示，仅在 EUV 光刻机研发上，ASML 就花了超过 400 亿美元。这还没算进背后的上下游配套，例如光源、光学镜片、涂层材料等等。

那么，中国的 65nm 光刻机到底意味着什么？其实它代表的是一个“自立起点”。不要忘了，7nm 芯片早已在中芯国际的产线上出现，只不过它依旧依赖的是 ASML 的 DUV 设备，而不是国产。换句话说，我们能“用”，但还没有做到“造”。这就是被卡脖子的尴尬所在。

当然，高盛的这份报告里有夸张甚至“居高临下”的成分。

说落后 20 年，其实忽略了一个事实：在追赶阶段，技术积累并不是线性发生的。一旦突破核心瓶颈，进步往往会呈现“跳跃式”。

比如当年手机行业的故事，诺基亚从功能机走向智能机花了近十年，但国产厂商后来追赶 iPhone，却只用了三到五年就站稳了脚跟。光刻机可能没办法复制完全相同的路径，但“20 年等式”并不是铁律。

真正值得思考的是，我们该如何利用当下的窗口期。

一方面，要承认差距，尤其是在 EUV 光源、超高精度光学系统等领域，这些不是一两年能补齐的。

另一方面，也不能因为“短期追不上”就灰心。中国芯片企业在工艺迭代上的韧性已经被验证过，比如 14nm、7nm 的量产节点，都是在不被看好的情况下完成的。

还有一个值得关注的点是 ASML 的财报。2025 年第二季度，ASML 实现了 77 亿欧元的营收，同比大涨 23%，净利润达到 23 亿欧元。

毛利率更是高达 53.7%。这背后的逻辑很清晰：全球先进工艺产能几乎都捏在它手里，别人只能排队买单。在这样的格局下，中国厂商要突围，难度不言而喻。

但是，如果只看眼前的差距，就会掉进悲观主义的陷阱。事实上，中国在半导体材料、设备国产替代上的推进速度正在加快，国内也有一批企业正死磕光刻机的关键零部件。虽然距离整机落地还有很长的路，但这种长期主义的坚持，才是未来真正缩短差距的关键。

我个人更倾向于把这份“20 年差距”看作是一种提醒，而不是判决。提醒我们，想要掌握核心技术，不能寄希望于外部环境转好，也不能幻想“捷径”。

ASML 走了 20 年，我们未必需要 20 年，但如果没有几十年的定力，肯定走不出来。

所以，当高盛拿着放大镜说“中国只能造 65nm”时，你可以选择愤怒，也可以选择冷静思考：我们到底需要多久，才能让“卡脖子”变成“自造”？

话说回来，你怎么看待这份“20 年差距”的说法？你觉得国产光刻机真正能追上 ASML 的时间会是多少年？10 年、15 年，还是更久？

评论区见，咱们聊聊。