河南
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上世纪80年代，日本的光刻机几乎横扫全球市场。尼康、佳能两个日本品牌，一度占据全球七成的市场份额。英特尔、IBM的工厂里，都在等待日本的步进式曝光机来生产更细密的芯片线路。
然而当美国对中国高端芯片实施限制时，很多人心中的疑问是：既然日本的光刻机技术也很强，甚至在某些领域超过美国，为什么我们不能直接找日本购买？
美国反击，日本落寞
实际当年的日本技术特别厉害，那时候的美国光刻设备制造商被远远甩在身后，从原来的主导地位滑落到边缘化。
日本的崛起并非偶然。1976年，日本政府启动VLSI超大规模集成电路计划，投入180亿日元，联合企业攻关技术。
尼康在1978年完成首台半导体光刻机SR-1，佳能则早在1970年就推出日本第一台商用光刻机PPC-1。
到1985年，佳能FPA-1500问世，支持0.8微米节点，这些技术进步让日本从跟跑到领跑，芯片制造成本大幅降低，性能显著提升。
随后来到1989年，日本光刻机全球市占率飙升至70%。尼康的NSR系列进驻英特尔工厂，佳能的FPA-1500FA支持0.8微米制程，助力日本半导体出口额超越美国。
日本的来势汹汹，美国自然是不愿意看着它成为老一，所以从1985年开始，美国便有动作了。
1985年，美国半导体协会投诉日本倾销，次年《美日半导体协议》签订，日本被迫监控出口价格，避免低价竞争。
真正的重击来自1987年的“东芝事件”。美国指责东芝卖数控机床给苏联，违反管制协议，直接禁售东芝产品两年，日本半导体产业遭到沉重打击。
尼康也未能幸免。1990年美国贸易代表办公室调查尼康在美国抬价，次年征收高关税，尼康出口美国销量下降30%。
这些措施让日本光刻机产业严重受挫。与此同时，荷兰ASML正在崛起，2000年推出NSR-S306C浸没式曝光设备，2007年首台EUV原型出货。
日本企业因投资不足，逐渐落后。尼康甚至在2010年退出EUV研发联盟，错失了下一代光刻技术发展的黄金时期。
更不必说，后来日本的路子也走错了，当ASML押注193纳米浸没式光刻技术时，尼康却执着于研发157纳米干式光刻机。
路线选择的失误让日本付出惨痛代价。2010年ASML推出首台EUV原型机时，尼康因投资不足退出研发联盟。曾经的光刻机霸主，在EUV时代沦为看客。
而如今，全球高端光刻机市场已被荷兰ASML主宰，尤其是最关键的EUV设备，ASML一家独大，占据全球91%的市场份额。
不过终归是瘦死的骆驼比马大，日本在DUV设备一类还是能扳回一局，那既然如此，中国技术被卡脖子时，为何不向日本购买？
为何转向不了日本？
实际上，不是我们不想买，是日本不愿意卖。2023年3月，日本政府宣布对包括光刻机在内的23种半导体设备实施出口管制。
这不是一般的“走程序”，而是需要一项项申请，最终还要看日本经济产业省是否点头。实际审批通过率不到20%。
2024年4月，日本更进一步，把GAAFET（全环绕栅极晶体管）等先进技术也纳入管制范围。这是和美国、荷兰一起搞的“美日荷三方联盟”，专门针对中国！
更精妙的钳制在供应链环节。东京应化向中国客户交付EUV光刻胶时，合同注明“禁止用于7纳米以下工艺”。这些装在铅罐里的紫色液体，其实添加了特定的抑制剂，使分辨率被限制在10纳米级别。
只得说，政治压力还是令日本别无选择，日本在美日安保同盟框架下，在半导体问题上几乎没有独立的决策权。更何况，美国早就用“东芝事件”给日本上过一课，那次教训让日本企业几十年都不敢越雷池一步。
即使从商业角度看，日本也不想过度依赖中国市场。一方面怕“被制裁”，一方面又怕“被吸干”。所以只能小心翼翼地踩在“能卖就卖、但不能过底线”的红线上。
从表面看，日本的设备确实还在进入中国。2023年，中国从日本进口了将近30亿美元的光刻设备，占总进口额的四分之一。
但这些大多是用在90nm、65nm这样“成熟工艺”的设备，真正关键的ArF浸没式光刻机，基本都被卡在审批环节。
所以面对现实，中国在走自主创新的路，从2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》出台，到如今的“十四五”规划，中国在半导体领域的投入力度，全球罕见。仅“大基金”一期和二期的总投资就超过3000亿元。
这些投入已经开始见效。上海微电子2023年推出的SSA800-10W光刻机，已经可以支持28nm工艺，甚至2025年有望实现14nm的突破。
中科院在研究DPP-EUV光源，华为公开了多项光刻相关专利，长春光机所也在搞国产镜头替代计划。各路“补短板”的项目齐头并进，产业链也在悄悄补课。
如今观看这自主研发的漫长路，只得说日本的故事给我们上了一堂血淋淋的课：关键核心技术，靠买终究是买不来的！
参考资料：
佳能，能拉日本半导体设备一把吗？——蓝鲸新闻
日本买的EUV光刻机开始安装，准备造2nm芯片——观察者网
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