存储新突破，UltraRAM量产有戏

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

UltraRAM 融合了闪存和 RAM 的最佳元素。

近日，长期处于研发阶段的UltraRAM内存技术传来商业化推进的重要消息：先进晶圆产品供应商IQE plc已完成一项为期一年的专项项目，成功开发出适配该技术的可扩展外延工艺。IQE首席执行官Jutta Meier明确表示，这一成果标志着UltraRAM向工业化生产迈出了里程碑式的一步，为这项被业内寄予厚望的内存技术落地应用奠定了关键基础。

回溯UltraRAM的技术发展历程，其首次进入公众视野是在三年前的TechSpot平台。当时披露的信息显示，该技术的核心研发方向是融合RAM与NAND两种主流存储介质的优势，并规避二者短板——既追求与非易失性DRAM相近的读写速度，又致力于实现更出色的耐用性与能效表现。据彼时公布的原型机测试数据，UltraRAM的数据保留时间可达到1000年，编程/擦除（P/E）周期更是突破1000万次，这一耐用性指标较当前市场主流的闪存产品提升约100倍。凭借“高速、非易失、高耐用”的综合特性，UltraRAM被部分行业人士称为“通用内存”，其技术潜力引发广泛关注。

事实上，尝试将RAM与闪存的优势整合到单一产品中，并非UltraRAM的首创。近年来，全球存储领域的头部企业均曾在这一方向展开探索，但市场反响与预期存在差距。其中，英特尔此前推出的Optane平台最为业内熟知，该平台基于3D XPoint技术，主打高性能与非易失性存储特性，初期在数据中心、高端消费电子等领域有一定应用。然而，受制造成本偏高、与现有硬件生态兼容性不足等因素影响，Optane平台的市场渗透率始终未能实现突破，英特尔最终于2022年宣布终止该业务线，成为通用内存技术探索过程中的一次重要调整。

在英特尔退出后，三星试图通过技术更新填补市场空白，于近年升级了其Z-NAND产品系列。据了解，三星Z-NAND采用独特的3D堆叠架构，在读写速度与耐用性上较传统TLC、QLC NAND闪存有明显提升，主要面向数据中心对高性能存储的需求场景。不过，从实际市场反馈来看，Z-NAND的成本仍显著高于主流NAND产品，难以满足大规模普及的需求，未能真正实现“通用内存”的市场定位。

除上述两家企业外，Kioxia（原东芝存储）与西部数据的合作也在该领域留下重要足迹。早在2020年，双方便联合研发推出XL-FLASH技术，直接对标英特尔Optane，聚焦高性能非易失性存储市场。今年5月的Computex展会上，基于XL-FLASH技术的定制化PCIe 5.0 SSD正式亮相，现场公布的性能数据较为突出：随机读取IOPS（每秒输入输出操作）达到350万，远超传统高端NVMe SSD水平。同期，InnoGrit基于该技术开发的N3X SSD，还实现了14 GB/s的持续顺序读取速度、12 GB/s的持续顺序写入速度，随机写入IOPS达70万，读取延迟仅13微秒，延迟表现已接近部分DRAM产品。不过，行业分析指出，XL-FLASH本质上仍属于NAND闪存的技术优化升级，并未脱离NAND架构的固有局限，与UltraRAM所追求的“通用内存”技术路径存在差异。

回到UltraRAM的商业化进展，当前其制造商Quinas正积极与全球代工厂及战略合作伙伴对接，推进试生产相关工作。不过，行业普遍认为，技术突破仅为第一步，UltraRAM要实现市场落地仍需跨越多重挑战。首先是量产稳定性，实验室阶段的技术参数需在大规模生产中保持一致，尤其是IQE此次开发的外延工艺，其良率控制将直接影响产品成本与产能释放节奏；其次是成本控制问题，若量产成本无法与现有DRAM、NAND产品形成竞争优势，将难以打开市场空间；最后是生态适配，UltraRAM需兼容当前主流的芯片组、操作系统及软件平台，才能顺利进入消费级、企业级等不同应用场景。

从市场需求层面来看，UltraRAM若能成功量产，潜在应用场景较为广泛。在数据中心领域，其可实现高性能缓存与长期存储的一体化，减少数据在DRAM与NAND之间的迁移损耗，提升数据处理效率；在消费电子领域，可为智能手机、笔记本电脑等设备带来更快的开机与应用加载速度，同时延长存储部件使用寿命；在工业控制、汽车电子等领域，其高耐用性与长数据保留时间，也能满足极端环境下的稳定存储需求。

尽管目前尚无法确定UltraRAM技术最终能否成功落地，但业内人士表示，这一商业化进展传递出积极信号——行业对“通用内存”的探索并未因此前的挫折而停滞。随着全球数据量持续增长、各类计算场景对存储性能要求不断提升，市场对高性能、非易失性存储技术的需求将长期存在，这为UltraRAM等创新技术提供了发展空间。未来，若Quinas能顺利完成试生产并解决成本、适配等关键问题，UltraRAM有望为存储行业带来新的技术选择，推动通用内存技术探索进入新阶段。

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