小米卢伟冰：内存价格上涨远超预期，尤其是LPDDR4X ，对中低端机型的冲击较大

【热点速读】

1、小米卢伟冰：内存价格上涨远超预期，尤其是LPDDR4X ，对中低端机型的冲击较大

2、三星半导体库存大幅优化，库存资产周转率回升

3、三星400+层NAND量产倒计时！关键设备订单花落谁家？

4、传英伟达新款“中国特供”AI芯片性能强于H20，最快9月送样

5、高通推出第四代骁龙 7s 移动平台：CPU性能提升 7%

1、小米卢伟冰：内存价格上涨远超预期，尤其是LPDDR4X ，对中低端机型的冲击较大

2025年二季度，小米集团总收入为1,160亿元（人民币，下同），同比增长30.5%，创历史新高；净利润为108亿元，创历史新高，同比增长75.4%。其中，小米智能手机业务收入455亿元，同比下滑2.1%，主要是由于智能手机ASP（平均销售单价）下降，惟部分被智能手机出货量增加所抵销。二季度小米智能手机ASP约为1,073.2元，同比下滑2.7%，主要是由于今年4月成功发布REDMI A5系列导致境外市场ASP下降，惟部分被中国大陆市场的高端智能手机出货量占比提高带动的ASP上升所抵销。受益于中国大陆出货量增加，二季度小米智能手机出货量4240万部，同比增长0.6%。

值得注意的是，二季度小米智能手机毛利率为11.5%，相比一季度有明显下滑。一方面是由于小米在中国大陆的618电商购物节期间增强了促销力度，以及境外市场竞争加剧及毛利率较低的产品收入占比增加所致。另一方面，小米集团合伙人兼总裁卢伟冰在财报电话会议表示，手机成本上升也是导致毛利率下降的另一重要因素，而造成手机制造成本上涨的其中一个关键因素就是存储芯片的上涨。卢伟冰表示内存价格的上涨比原来预期要高得多，尤其是LPDDR4X，原来关注度基本上都放在LPDDR5X上，但LPDDR4X的增速反而是最高的，这对中低端产品的影响还是比较大的。细看小米今年发布的几款手机新品，REDMI A5、Redmi 14C 5G（海外版）等低端机型的存储配置均采用LPDDR4X分离式方案。

数据来源：小米集团财报，CFM闪存市场制图

存储芯片作为智能手机的关键硬件之一，LPDDR4X供应链变化及价格上涨确实已对手机整机制造成本带来显著影响。而LPDDR4X供应大幅收缩带来的涨价效应还在发酵中，预计三季度LPDDR4X价格上涨空间还将进一步扩大，对以中低端手机为业务基本盘的手机厂商的冲击将更加强烈，进而压缩相关产品毛利率。

2、三星半导体库存大幅优化，库存资产周转率回升

据三星2025年上半年报告显示，截至2025年上半年末，三星半导体暨设备解决方案（DS）部门的库存资产约27.8万亿韩元，较2024年底的29.6万亿韩元，减少约1.8万亿韩元；与2024年同期32.3万亿韩元相比，大幅减少4.5万亿韩元。

另一方面，库存资产周转率也有所改善。 2025年上半末的库存资产周转率3.9次，高于2024年底的3.6次，也比2024年同期的3.4次，多出0.5次。

此外，三星电子半年报显示，三星电子对华出口额为28.7918万亿韩元，同比减少11%。据了解，三星对华出口产品多数为半导体，具体包括LPDDR、NAND、图像传感器、显示器驱动芯片等用于移动终端的产品和HBM2、HBM2E等部分高带宽存储器产品。三星电子同期对美出口额为33.4759万亿韩元，超过对华出口。

从本土生产和销售法人的业绩来看，三星位于西安的半导体工厂的销售额与营业利润分别为4.4146万亿韩元和5336亿韩元，与去年同期相比（销售额6.0214万亿韩元，营业利润6444亿韩元），均出现减少。三星位于上海的销售法人销售额从去年同期的15.8779万亿韩元减少至今年的12.3457万亿韩元，营业利润也从2322亿韩元减少至1938亿韩元。

3、三星400+层NAND量产倒计时！关键设备订单花落谁家？

据韩媒报道，三星电子正在考虑在V10 NAND产线同时采用Lam Research和TEL的极低温刻蚀设备。上述两家公司均已通过三星电子的下一代工艺新技术性能评估，预计将正式展开订单争夺战。

极低温蚀刻设备在零下60至70摄氏度的环境下进行。该工艺温度比传统环境低30至40摄氏度，技术难度极高，仅有少数设备公司拥有此项技术。

据悉，三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时，连接存储单元（Cell）的通道孔必须比以往深得多。也就是说，通道孔的纵横比（深宽比）急剧增加，需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。

在三星电子NAND闪存制造的蚀刻设备领域，Lam Research一直占据主导地位。新进入供应链的TEL需要供应全新的极低温蚀刻设备，而Lam Research则有望通过升级现有设备来巩固其竞争优势。据悉，Lam Research通过更换已大量供应给V10 NAND的现有设备的模块，实现了极低温工艺技术。

随着设备公司的性能评估完成，预计三星电子将很快进行采购下单。三星电子计划在明年上半年建设V10 NAND量产线，并在试生产后于下半年投入量产。

4、传英伟达新款“中国特供”AI芯片性能强于H20，最快9月送样

据外媒报道，知情人士称，英伟达正在为中国市场开发一款基于其最新 Blackwell 架构的新型 AI 芯片，其性能将强于当前获准在中国销售的 H20。

消息称，新款芯片暂定名为 B30A，将采用单芯片设计，其原始算力可能为英伟达旗舰 B300 计算加速卡所用的双芯片配置的一半。如进展顺利，最早有望于下个月向中国客户交付样品进行测试。

对此，英伟达回应称，正在根据路线图对各种产品进行评估，以便能够在政府允许的范围内做好竞争准备。其提供的所有产品均已获得相关部门的全面批准，并且仅用于有益的商业用途。

此前，英伟达与AMD已同意将其在中国的销售额的15%交予美国政府，作为换取恢复在中国销售芯片的条件。

5、高通推出第四代骁龙 7s 移动平台：CPU性能提升 7%

高通宣布推出第四代骁龙 7s 移动平台，采用 4 纳米工艺制程，CPU 性能提升7%、GPU 图形渲染速度提升 7%，搭载低功耗人工智能系统，支持设备端生成式人工智能。新平台还支持自适应帧运动引擎 3.0，通过骁龙游戏超级分辨率技术可将游戏场景提升至最高 4K 分辨率。

官方资料显示，第四代骁龙 7s 移动平台拥有旗舰同款 8 核设计，支持设备端生成式人工智能，可生成文本、照片和其他内容，或获得具有更高速度和隐私保护的实时协助。此外，高通感知中心配备专用人工智能处理器，能够实现降噪和其他情境化应用。新平台支持3200 MHz LPDDR5。