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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有与栅极切口插塞连续的鳍状物隔离区域的集成电路结构”的专利，公开号CN120500105A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，描述了具有与栅极切口插塞连续的鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括处于第一子鳍状物之上的水平纳米线的垂直堆叠体或鳍状物。栅极结构在所述水平纳米线的垂直堆叠体或所述鳍状物之上，并且在所述第一子鳍状物上。电介质结构与所述栅极结构横向间隔开。所述电介质结构不在沟道结构之上，但在第二子鳍状物上。栅极切口在所述栅极结构与所述电介质结构之间。电介质栅极切口插塞在所述栅极切口中。所述电介质栅极切口插塞与所述电介质结构连续。
本文源自：金融界
作者：情报员
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