北京
金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，研微（江苏）半导体科技有限公司申请一项名为“一种金属硅化物层的制备方法和半导体结构”的专利，公开号CN120497126A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种金属硅化物层的制备方法和半导体结构。本方法包括以下步骤：在硅衬底上，采用原子层沉积工艺通入金属源，基于金属的成核机理，动态调节原子层沉积的工艺参数，以控制金属在微观反应路径上的生成方式，在硅衬底上形成金属层；实施快速退火工艺，使得所述金属层与硅衬底生成的金属硅化物层，满足薄膜质量特性要求。本发明通过原子层沉积工艺对金属沉积过程进行原子级精确调控，结合动态成核控制技术优化金属层的微观结构，并采用快速热退火工艺精准调控相组成与电学性能，为新一代半导体器件制造提供了更优的解决方案。
天眼查资料显示，研微（江苏）半导体科技有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本2799.8133万人民币。通过天眼查大数据分析，研微（江苏）半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可10个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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