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金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，艾克斯特朗欧洲公司申请一项名为“在硅上沉积氮化镓的方法”的专利，公开号CN120457236A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于在CVD反应器的处理室(2)中在由硅构成的衬底的SiC表面上沉积由III主族和V主族元素组成的层的方法，其中，所述SiC表面通过含碳的第一气态原料与硅衬底的表面在衬底(6)的第一升高温度下进行的第一化学反应产生，并且所述层通过包含III主族元素的第二气态原料和包含V主族元素的第三气态原料在第二升高温度下产生。
本文源自：金融界
作者：情报员
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