佳能猝不及防！大陆首台已交付，日企垄断被打破了

光刻机的重要性大家都了解，由于其制造不易，全球能够生产芯片制造用光刻机的没几家，如今市场基本被荷兰ASML垄断，尤其是最高端的EUV，只有ASML能生产。

为此，多地在研究绕开EUV的光刻技术路线。其中，日本佳能研发的纳米压印光刻技术最为突出，已经进入产线应用。不过，佳能垄断很快被打破，大陆首台已经交付。

目前，全球能够生产芯片制造用光刻机的只有三个国家、四家公司，除了荷兰ASML外，就是日本的尼康和佳能，以及我国上海微电子，但都跟荷兰ASML差距很大。

其实，在ASML崛起之前，全球的光刻机霸主是尼康和佳能，当时号称日本“光刻机双雄”。后来，ASML凭借浸润式DUV实现超越，再后来推出EUV，彻底称霸了。

但尼康和佳能并没有放弃光刻机业务，还在继续追赶，其中尼康继续沿老路线前进。

如今，尼康已经突破了浸润式光刻技术，能够对外销售浸润式DUV，但产量不大，每年才售出几台。佳能继续销售中低端光刻机，但另辟蹊径，研发纳米压印光刻技术。

因为佳能明白，在EUV上打败ASML已经不太可能，所以就押注纳米压印光刻技术。

我国上海微电子虽然也突破了芯片制造用光刻机，但制程上相对比较落后。不过，这也解决了不小问题，至少我们成熟制程芯片不担心被断供，并且还在研发先进光刻机。

其他不多讲，今天主要聊纳米压印光刻（NIL）技术。所谓NIL技术，是将三维结构的掩膜压在晶圆的感光材料上，同时照射光线完成一次性转印，实现光刻达到的效果。

该技术一直被认为是最有前景的光刻技术之一，佳能2014年就开始研发这方面，如今在NIL专利上优势非常大，已经远超其他相关厂商，并且该技术不是停留在纸面上。

2021年时，佳能就已经推出成品机，并且还应用到日本铠侠NAND闪存的生产线上。

目前，佳能生产的最先进的纳米压印光刻设备已经能够实现14nm线宽的图案，对应传统光刻机5nm制程逻辑芯片的生产。要知道，5nm制程就必须用到EUV光刻机。

去年9月份，佳能向德克萨斯电子研究所交付的 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻机就是14nm线宽，理论上比传统光刻成本更低，投资为EUV的40%，能耗降低10倍。

因此，NIL技术被视为EUV技术的有力竞争者，据说佳能还将研发更先进2nm工艺。

可能会有人说，那我们是不是就可以购买佳能的NIL光刻机，不用再受ASML的EUV对华限制了。但很遗憾，此前佳能CEO在接受采访时已经表态，也不能对华销售。

因为美方的出口管制，我们也买不到佳能的NIL光刻机，所以我们只能实现国产突破。

好消息是，我们也在努力，并且近日国内企业璞璘科技近日公开宣布，自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收并交付至国内特色工艺客户。

值得一提的是，璞璘科技的PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备更进一步，实现了对应线宽小于10nm 的纳米压印光刻工艺，也就是说在这项指标上已经超越了佳能。

重点是，璞璘科技成功攻克了多项技术瓶颈，还搭配了自主研发的软件控制系统，并且该款设备目前已经初步完成储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等芯片研发验证。

不过，该设备主要应用于存储芯片，意味着国内存储芯片厂商能够摆脱国外设备依赖。

即使是佳能的纳米压印设备也有缺点，那就是芯片制造速度相比传统光刻方式更慢，不适合用于复杂的逻辑制程芯片制造，更适合NAND存储芯片，实现多层相同堆叠。

因此，璞璘科技纳米压印设备的突围，标志着我国在高端半导体装备制造领域迈出坚实的一步，彻底打破了佳能的垄断和西方的禁运，所以外媒才表示日企垄断被打破了！