广发证券：4F2、CBA或成芯片提升重要突破 DRAM打开设备成长空间

智通财经APP获悉，广发证券发布研报称，在未来的新技术方向中，4F2和类似于3DNAND领域的CBA技术，有望成为DRAM芯片进一步提升PPA的重要突破口。4F2和CBA等新兴技术的发展，有望带动DRAM行业设备需求持续提升，随着新兴技术路线的探索和应用，设备需求有望进一步多元化，从而打开成长空间。叠加相关设备国产化的趋势，本土半导体设备成长空间有望进一步拓宽。

广发证券主要观点如下：

4F2和CBA有望成为进一步提升DRAM芯片PPA的重要突破技术

通过分析目前DRAM芯片的结构设计和制造工艺可知，当前DRAM芯片在晶圆级层面的升级主要通过平面内的制程微缩和架构升级两类途径实现，从而不断优化DRAM芯片的PPA表现。但正如逻辑制程领域摩尔定律逐渐失效或升级放缓，DRAM伴随着制程微缩而带来的改进幅度和速度也存在瓶颈。而三星、海力士及国内存储厂也在积极探索和应用架构升级来实现DRAM芯片的迭代，在未来的新技术方向中，4F2和类似于3DNAND领域的CBA技术，有望成为DRAM芯片进一步提升PPA的重要突破口。

4F2是提升存储密度的高效技术路线

4F2结构布局意味着DRAMCell在字线和位线维度上分别占据2F(F即特征尺寸)，其实现需要将DRAM的晶体管和电容器进行3D垂直布局，这是平面内DRAMCell布局的最密排布，有望将DRAMCell尺寸较6F2缩小约30%，代表了更好的面积表现和存储密度。目前，业界正持续推进4F2相关DRAM技术的开发，例如，三星通过VCT技术将晶体管垂直排列，使Cell面积缩小30%，海力士则计划在10nm以下节点采用4F2VG平台，结合混合键合工艺，可实现更高密度与能效。

CBA技术是优化DRAM芯片系统级性能的关键

参考Flash行业的架构升级路径，未来DRAM芯片也有望借助CBA技术实现架构升级，CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造，并在制造完成后通过熔融键合或混合键合等工艺将两片晶圆键合在一起，以实现系统整体的更优性能。

DRAM芯片的架构优化有望使设备需求多元化，从而打开相关设备成长空间

通过分析相关制造工艺可知，DRAM制程微缩主要依赖光刻工艺的升级，而4F2及其背后的垂直晶体管和电容结构，则在原有基础上更多地依赖沉积、刻蚀等相关工艺，CBA技术也是在原有基础上，进一步提升了对键合、CMP、电镀等工艺的需求，随着DRAM行业对4F2、CBA等新兴技术路线的探索和应用，未来设备需求有望进一步多元化，从而打开相关设备未来的成长空间。

风险提示

市场需求不及预期，技术研发不及预期，客户开拓不及预期。