紫光国芯第四代三维堆叠DRAM（SeDRAM）技术方案亮相 WAIC 2025

2025年7月26-7月29日，备受瞩目的世界人工智能大会暨人工智能全球治理高级别会议（WAIC 2025）在上海盛大举办。作为半导体存储领域的高科技领军企业，紫光国芯携多款存储产品及技术方案精彩亮相，重点展示了其行业领先的新一代三维堆叠DRAM（SeDRAM®）技术及CXL内存扩展主控产品方案，展现了公司在算力芯片及高性能计算领域的技术实力和产业价值。

作为全球人工智能领域最具影响力的行业盛会，本届大会以“智能时代 同球共济”为主题，旨在搭建世界级的合作交流平台，汇聚了全球顶尖专家学者、行业领袖，共同探讨人工智能前沿技术与全球治理议题。

三维堆叠DRAM（SeDRAM®）-突破内存墙，释放算力潜能

当前，随着人工智能大模型应用加速落地，市场对算力芯片的性能需求呈现爆发式增长。依托深耕10年的技术积累和持续创新，紫光国芯的第四代三维堆叠DRAM（SeDRAM®）技术通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆3D集成，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量，是实现算力芯片性能极致发挥的超高带宽存储解决方案。

凭借超大带宽、超低功耗和和超大容量，以及行业领先的量产3D整合经验等突出优势，新一代SeDRAM®技术可为用户提供灵活的“带宽+容量”存储组合方案。其采用标准化IP交付，完全兼容传统的SoC设计和生产流程，助力用户缩短产品研发周期、最大化提升产品性能。目前，该技术已成功支持包括知名厂商在内的近40款芯片产品的研发与量产。

CXL内存扩展主控产品方案-构建TB级高性能存储方案

作为CXL技术联盟的早期‘Contributor’级别成员及国内CXL技术的先行者，紫光国芯同期展出了CXL内存扩展主控产品方案，该方案旨在满足高性能服务器平台在系统主存的容量和带宽扩展等方面的核心需求，可助力高性能服务器实现TB级内存容量，为大数据处理、智能计算等应用场景提供了高性能的存储解决方案。目前，通过与行业上下游头部厂商的紧密合作，紫光国芯CXL内存扩展主控产品方案已成功适配多型号主流处理器、支持多种存储介质，并在访存延迟、带宽等多方面表现出色。

作为以科技创新为驱动的综合性集成电路设计企业，紫光国芯将继续专注存储技术创新，聚焦市场趋势和客户多元需求，以更具竞争力的存储产品与技术方案，为产业生态的蓬勃发展提供坚实的技术支撑，助力全球客户实现数字化转型和智能化升级。

编辑/排版：品牌组 审核：GM

*本账号文章如转载需全文转载。报道本账号所涉及的内容，应确保所报道内容与本账号内容一致，否则我公司有权依法追究相关责任。