芝奇推出DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) 超频内存！搭配TR处理器

2025年7月24日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际正式推出专为最新 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 工作站处理器打造的 T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM超频内存，并导入AMD EXPO超频技术。全新一代模组采用芝奇最新16层 DDR5 R-DIMM PCB，并搭载瞬态电压抑制 (TVS) 二极管及保险丝设计，提供卓越的信号完整性与电压保护机制。无论是建构企业级或个人使用的数据运算中心、人工智能、与机器学习平台，或各类高效能科学运算环境，芝奇 T5 Neo 高速DDR5 R-DIMM 超频内存皆能带来卓越的数据传输效能、优异的系统稳定性、以及完善的内建安全保护机制，打造豪华工作站解决方案。

超大容量 & 低延迟 - DDR5-6400 CL38-48-48-102 512GB (64GBx8)

芝奇专注于打造卓越效能内存，以满足高端工作站用户的极致需求，本次成功推出 T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 超高规格套装，结合 512GB 大容量及 CL38 低延迟的梦幻组合，重新定义 DDR5 R-DIMM超频内存的性能上限，为全球工作站用户带来崭新的流畅体验。此套装专为 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 工作站打造，并导入 AMD EXPO 超频技术，并已搭配最新 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 9945WX 处理器及 ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE 主板通过烧机测试，以下为测试截图:

全新16层板 PCB 打造极速效能

全新 T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 高效能 RDIMM 超频内存采用 16 层板 PCB，相较于传统的 8 层或 10 层板设计，实现显着的升级。这种高密度多层结构可有效提升内存速度、强化信号完整性、并降低信号干扰，即使在高工作负载下也能确保稳定且高效的数据传输表现。透过更紧密的 PCB 布局设计，该模组在信号与电力效率方面拥有更卓越的表现，并能支持大规模运算而不产生过载，轻松满足高阶工作站、高效能运算(High Performance Computing)或高速数据运算中心等对于极致效能的严苛要求。

TVS保护机制 提升安全性

专为企业与专业应用打造的芝奇 T5 Neo系列DDR5 R-DIMM 超频内存，采用坚固的 16 层 PCB 结构，确保卓越的信号完整性与电力效率。由于模组需直接从主板获取 12V 电压输入，因此设计上导入先进的保护机制。为防止瞬态电压突波与静电放电 (ESD)，每个模组均配备高质量瞬态电压抑制 (TVS) 二极管与表面黏着技术 (SMT) 保险丝，形成稳固的双重防护设计，此安全机制不仅提升模组的耐用性，更确保长时间高负载运行下的稳定效能，使芝奇 T5 Neo系列 DDR5 R-DIMM 超频内存成为次世代高效能工作站内存的终极解决方案。

上市信息

全新T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM超频内存套装将于2025 八月于全球各地陆续贩卖，消费者可洽询芝奇各地的合作经销商及通路伙伴。