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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“选择性膜沉积”的专利，公开号CN120356823A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，一种用于选择性沉积钼膜的方法，包括：在反应室中支撑衬底，衬底包括金属表面和相邻的电介质表面；响应于在循环沉积过程中使衬底与包含卤氧化钼的第一前体接触而相对于电介质表面在金属表面上选择性地沉积钼膜；响应于在循环蚀刻过程中使衬底与包含卤化钼的第二前体接触而蚀刻钼膜；以及吹扫反应室。
本文源自：金融界
作者：情报员
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