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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有包括水平延伸部分和竖直延伸部分的源极接触层的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120345357A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种存储器设备包括：源极级材料层，该源极级材料层包含下部源极级半导体层、源极接触层和上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于该源极级材料层上方；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠并且进入该源极级材料层的上部部分中；以及存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包括存储器膜和竖直半导体沟道。该源极接触层包括水平延伸部分和竖直延伸部分，该竖直延伸部分具有比该水平延伸部分更大的竖直范围，具有接触该竖直半导体沟道的底部部分的内圆柱形侧壁，并且接触该交替堆叠内的最底部绝缘层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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