北京
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN120343915A，申请日期为2024年06月。
专利摘要显示，本发明提供一种存储器装置及其制造方法。存储器装置的制造方法包含：沿着第一方向，交错放置多个第一层及多个第二层；第一孔洞；在第一孔洞的一边缘形成第一通道结构；在第一孔洞之中形成第一源极结构及第一漏极结构；围绕第一通道结构形成第一电荷阱结构，其中第一层的材质不同于第二层的材质。
本文源自：金融界
作者：情报员
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