北京
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“基于埋层结构实现Ⅰ-Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法”的专利，公开号CN120321970A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种基于埋层结构实现Ⅰ‑Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法，包括衬底和形成于衬底上方的正面基区；衬底中形成有多个埋层结构，埋层结构位于正面基区的正面基区电极的下方；正面基区和衬底在门极电极的下方还形成有导电通道连接至埋层结构的深度；当可控硅器件的外接电流进入第二象限时，通过埋层结构提高触发电流，以避免误触发。针对现有技术中的可控硅器件在交流电系统中可能在二象限上误触发的问题，当器件工作在二象限上时，通过埋层结构至门极电极的传导路径实现了对电荷的导出，从而大幅增加了触发电流阈值，当一三象限触发值在30mA左右时能够实现500mA以上的二象限触发值，有效避免了误触发的可能性。
天眼查资料显示，上海维安半导体有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维安半导体有限公司参与招投标项目6次，专利信息260条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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