北京
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，华辰芯光（无锡）半导体有限公司申请一项名为“一种针对扩散主导的刻蚀的晶圆湿法刻蚀装置”的专利，公开号CN120319687A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请涉及晶圆刻蚀的技术领域，尤其是涉及一种针对扩散主导的刻蚀的晶圆湿法刻蚀装置，包括容纳槽，所述容纳槽内设有用于放置晶圆的工作台，所述容纳槽内设有与工作台正对的加热盘，所述加热盘内设有加热丝，所述加热丝包括位于加热盘边缘的外丝和位于加热盘中心的内丝，所述内丝的功率大于外丝的功率。晶圆置于工作台上，加热丝对晶圆进行加热，通过控制加热功率来控制刻蚀速率。内丝的功率大于外丝的功率，从而使得晶圆内圈的温度大于边缘的温度，加快晶圆内圈的刻蚀速率，补偿由扩散主导的刻蚀过程中晶圆内圈刻蚀速率低于边缘的情况，最终使得晶圆内圈的刻蚀速率与边缘的刻蚀速率相平衡，提高晶圆整体的刻蚀均匀性。
天眼查资料显示，华辰芯光（无锡）半导体有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，华辰芯光（无锡）半导体有限公司参与招投标项目5次，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可20个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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