北京
金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备”的专利，公开号CN120302695A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备，涉及半导体的技术领域。半导体器件包括基底和场效应晶体管，场效应晶体管位于基底的一侧。场效应晶体管包括栅极层、沟道层、金属电极以及界面层。沟道层具有沟道区、源极区和漏极区，沟道区位于源极区和漏极区之间。金属电极包括源极金属和漏极金属，源极金属与源极区电连接，漏极金属与漏极区电连接。界面层位于源极金属和源极区之间；和/或，界面层位于漏极金属和漏极区之间。界面层的材料包括金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。如此设置，使得界面层能够阻挡金属电极从沟道层中夺氧，提高场效应晶体管的热稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1509个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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