北京
金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，山东中晶芯源半导体科技有限公司申请一项名为“用于碳化硅单晶生长的蜂窝坩埚及碳化硅单晶生长方法”的专利，公开号CN120273021A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种用于碳化硅单晶生长的蜂窝坩埚及碳化硅单晶生长方法，其中，蜂窝坩埚包括：坩埚盖、上坩埚和下坩埚，上坩埚的底部与下坩埚的顶部螺纹连接，坩埚盖通过螺纹扣合于上坩埚的顶部；坩埚盖下部为籽晶装配腔，籽晶装配腔内设有圆盘状籽晶托盘，籽晶托盘的中心与坩埚轴心线对齐，且托盘面朝向下坩埚；下坩埚为蜂窝状结构，其内部设有多个均匀分布的空腔，空腔用于填充碳化硅原料。蜂窝结构的坩埚可以有效避免位于内侧的碳化硅原料受热效果较低导致无法升华的情况出现，每个空腔侧壁直接作为热源，通过增大受热表面积和优化热传导路径，确保碳化硅原料在空腔内部受热均匀，显著提高原料利用率和晶体生长均匀性。
天眼查资料显示，山东中晶芯源半导体科技有限公司，成立于2023年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东中晶芯源半导体科技有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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