北京
金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种梳齿结构及沟槽结构的制作方法”的专利，公开号CN120261283A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种梳齿结构及沟槽结构的制作方法，该沟槽结构的制作方法包括以下步骤：提供一半导体结构，形成覆盖半导体结构上表面的图案化的遮蔽层；将上表面形成有图案化的遮蔽层的半导体结构置于刻蚀设备的刻蚀工艺腔中；向刻蚀工艺腔中同步通入第一预设流量的钝化气体及第二预设流量的刻蚀气体对半导体结构进行刻蚀以得到沟槽，且在刻蚀半导体结构的过程中，逐渐减小钝化气体的流量，逐渐增加刻蚀气体的流量，刻蚀结束时，钝化气体与刻蚀气体的流量分别变为第三预设流量及第四预设流量。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目477次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息695条，此外企业还拥有行政许可44个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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