北京
金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市冠禹半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法”的专利，公开号CN120237037A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法，该方法包括：对碳化硅晶片进行初次采样选取参考点，在参考点的不同方向上选取多个采样点，测量每个方向上各采样点的膜厚度；得到每个方向的左拟合偏差、右拟合偏差；计算每个方向的间断度，将所有方向区分为间断方向和非间断方向；计算各非间断方向的异样度；计算各间断方向对应左侧、右侧的异样度；确定各非间断方向、各间断方向对应左侧和右侧的拟合阶数；计算碳化硅晶片的均匀度，评估碳化硅晶片的涂胶均匀性，对碳化硅晶片沟槽进行刻蚀。
天眼查资料显示，深圳市冠禹半导体有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市冠禹半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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