北京
金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN120239350A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一具有像素区的衬底；步骤S2，在所述衬底的背面形成深沟槽，所述深沟槽位于所述像素区；步骤S3，在所述深沟槽的侧壁及底部形成高介电层，所述高介电层填充所述深沟槽；步骤S4，在所述高介电层的上方依次沉积形成第一缓冲层和第二缓冲层；其中，所述第一缓冲层由原子层沉积工艺形成。本发明在深沟槽形成过程中，减少了等离子体增强沉积工艺的使用，降低了等离子体增强沉积工艺中低频射频对衬底产生的轰击作用，因而减少表面缺陷的产生，降低半导体器件白点数量，提高半导体器件的性能和良率，且工艺简单，有利于产业化的推广和应用。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可86个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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