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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“使用原子层沉积在凹部内沉积的非保形膜”的专利，公开号CN120225724A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，所公开的示例涉及一种使用原子层沉积(ALD)在位于衬底支撑件上的下凹特征的下部分上沉积膜的方法。一示例提供一种方法，其包含将包含下凹特征的衬底配置在ALD处理室中的衬底支撑件上，下凹特征包含从衬底表面中的下凹特征的开口延伸到衬底中的凹壁。该方法还包含将抑制剂供应至ALD处理室并且在ALD处理室中形成包含抑制剂的等离子体。这在下凹特征的开口附近产生抑制凹壁表面。该方法还包含执行ALD以在凹壁上沉积膜，该膜在下凹特征中的较深深度处比在抑制凹壁表面上更厚。
本文源自：金融界
作者：情报员
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