北京
金融界2025年6月25日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种MOS器件的制备方法”的专利，公开号CN120199725A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种MOS器件的制备方法，其中首先提供一衬底，在衬底的一侧形成了栅极氧化层，然后采用了去耦等离子体注入的方法在衬底与栅极氧化层之间注入了氘等离子体或氟等离子体，最后进行退火处理，使得氘等离子体或氟等离子体与衬底和栅极氧化层之间的硅进行键合，生成了键能更大的硅氘键或硅氟键；去耦等离子体注入的方法可以很好的控制氘等离子体或氟等离子体的注入深度与注入量，注入氘等离子体或氟等离子体后进行退火处理，可以使得氘或氟替代氢与衬底与栅极氧化层之间的硅形成比硅氢键的键能更大硅氘键或硅氟键，改善了栅极氧化层与衬底界面处的硅氢键断裂和氢扩散，从而改善了MOS器件的负偏压温度不稳定性效应。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息475条，此外企业还拥有行政许可211个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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