存储｜DDR4涨幅超预期，预计涨势将延续至Q3（2025年6月）

文｜徐涛 王子源 程子盈

25Q2主流存储与利基DRAM涨价，我们预计Q2主要存储厂商收入环比增长，存储模组厂迎来盈利拐点；预计25Q3存储价格有望维持环增态势。

▍价格回顾（Bloomberg，CFM闪存市场）

DRAM：DDR5温和上涨，DDR4受原厂加速减产影响涨幅超预期。1）DDR5：5月现货环比+2%，6月至今低个位数涨幅。颗粒现货和合约价格保持温和上涨，4-5月DDR5 8Gb合约价上涨约2%，DDR5 16Gb现货价上涨约7%。2）DDR4：5月现货环比+9%~+37%，6月至今涨幅达17%~37%。海外大厂聚焦高利润率的DDR5、HBM，压缩DDR3/DDR4供给，TrendForce预计最后出货时间为2026年初。25Q2，随着原厂加速退出DDR4供应、下游紧急拉货，5月DDR4 8/16Gb颗粒现货价格平均涨幅超30%。

NAND Flash：原厂减产效果已显现，价格温和上涨。5月NAND Flash(Wafer) TLC价格环比涨幅低个位数，6月至今价格基本保持稳定。海外大厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15%，同时加快将产能向200层以上产品迁移，进而减少低价产品的供应量，3月TLC价格转涨（涨幅6%~14%）、SSD同步上涨，行业供需在25Q1加速平衡。需求方面，北美CSP厂商持续投入，带动企业级SSD需求持续提升。进入5月，TLC价格温和上涨，6月价格基本稳定。

模组：DDR5内存条、SSD、移动存储价格相对稳定，DDR4内存条大幅上涨。1）内存条：5-6月DDR5合约价格环比持平，现货价格高个位数上涨；DDR4行业、渠道市场价格上涨20%~64%。2）SSD：5-6月行业、渠道市场价格小幅回落（-3%~0%）。3）移动存储：消费市场需求整体稳定，5-6月UFS、eMMC价格温和上涨（0%~14%）。

▍价格展望：预计25Q3 DDR5、NAND温和上涨，DDR4涨幅8%~13%。

1）对于DRAM，我们预计在企业级需求旺盛、消费电子旺季下DDR5价格有望保持温和上涨，DDR4在供给确定持续收缩的背景下，预期性的备货需求有望推动价格在三季度继续上涨；TrendForce预测，25Q3 DDR4 PC/Server内存模组合约价格将分别上涨18%~23%/8%~13%。

2）对于NAND Flash，我们预计在原厂减产效果下，NAND价格有望保持温和上涨；根据TrendForce，25Q2/Q3 NAND Flash Wafer价格分别上涨3%~8%/5%~10%。

3）利基存储，我们预计25Q3 SLC NAND Flash价格有望实现双位数上涨，NOR Flash价格保持平稳。

▍风险因素：

国际宏观政治经济波动；下游需求走弱；面板价格提升不及预期；行业竞争激烈；技术革新风险等；国际贸易摩擦风险；海外潜在关税风险。

▍投资建议：

25Q2主流存储与利基DRAM涨价，我们预计Q2主要存储厂商收入环比增长，存储模组厂迎来盈利拐点；预计25Q3存储价格有望维持环增态势。1）DDR4内存条涨价逻辑下，我们重点推荐存储芯片设计厂商；此外，我们建议关注存储模组分销商，模组厂商。2）部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格，叠加原厂逐步退出DDR4，我们认为DDR5渗透率有望加快提升。

本文节选自中信证券研究部已于2025年6月24日发布的《电子行业2025年6月存储行业速报—DDR4涨幅超预期，预计涨势将延续至Q3》报告，具体分析内容（包括相关风险提示等）请详见报告。若因对报告的摘编而产生歧义，应以报告发布当日的完整内容为准。

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转自：中信证券研究