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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，剑桥氮化镓器件有限公司申请一项名为“包括短路检测电路的半导体开关”的专利，公开号CN120200594A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，半导体开关包括第一主端子、第二主端子以及控制端子，半导体开关还包括：III族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)，III族氮化物高电子迁移率晶体管包括第一源极端子、第一漏极端子和第一栅极端子；第一接口电路，该电路与控制端子和第一栅极端子操作连接；以及短路检测电路，该电路与第一漏极端子和第一源极端子操作连接，短路检测电路被配置为：检测第一漏极端子和第一源极端子子之间的短路；并将短路检测信号传输至第一接口电路，第一接口电路在收到短路检测信号后，将导致III族氮化物HEMT关闭，和/或导致第一栅极端子上的电压降低。
本文源自：金融界
作者：情报员
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