北京
金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120174487A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：（1）对供体衬底进行剥离层注入处理形成剥离层；（2）分别对底层衬底和供体衬底进行掩膜处理后，经离子注入处理分别在底层衬底和供体衬底上形成浮置结，得到改性底层衬底和改性供体衬底；（3）分别对改性底层衬底和改性供体衬底去胶处理后，将二者的离子注入面键合，经热处理剥离去除剥离层，得到半成品复合衬底；（4）对半成品复合衬底进行掩膜处理后进行离子注入，经去胶、退火得到所述碳化硅复合衬底。本发明所述碳化硅复合衬底无需进行多次外延，且制备过程中无需高能量注入便可形成较深的浮置结，大幅度降低制备成本、所需剂量和注入时间。
天眼查资料显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司，成立于2022年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司参与招投标项目2次，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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