天津
算力需求爆发，叠加外部对HBM在带宽等环节的管制，将刺激国产HBM的突破和供应。周五受国产存储大客户的HBM3通过验证的消息刺激，精智达、芯源微等核心标的涨幅明显。国产存储大客户已经具备DDR5颗粒的制造能力，传输速率等核心指标已经达成，只是目前在散热和能耗等方面还有提升空间。HBM3的底层存储颗粒具备量产条件。且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单，国产HBM扩产的确定性在快速加强。
测试机、键合解键合、CMP环节弹性最大。目前各个关键工序如TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均实现国产或较容易买到，颗粒具备量产条件+各关键工序的设备处于ready状态，我们认为国产HBM的突破将落在今年下半年！预期今年HBM的扩产量级有望实现5000片的8层晶圆。扩产将为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机（专指HBM专用CP测试机—KGSD）环节分别带来1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿的订单增量。
国产HBM扩产同样利好前道设备，对应DRAM扩产产生新增量。HBM扩产需要底层的DRAM颗粒，目前市场预期此次HBM扩产量级为5000片的8层晶圆，则对应4万片的底层DDR5扩产，对应约350亿的设备资本开支增量。对刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等环节分别带来85亿、70亿、16亿、11亿的市场增量。其余前道设备也将受益。
投资建议。设备环节，我们推荐受益较多的精智达，其订单弹性最大。
风险提示：产业进展不及预期/需求不及预期。
（分析师 陈海进）
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转自：东吴研究所
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