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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，电子科技大学;无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120187077A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括衬底结构；第一阱区，设于所述衬底结构内；第二阱区和漏区，间隔地排布于所述第一阱区内；源区，设于所述第二阱区内；第一掺杂区，设于所述第一阱区内，且位于所述源区和所述漏区之间；至少一浮空场板，嵌设于所述第一阱区内，且位于所述源区和所述漏区之间；所述浮空场板还贯穿所述第一掺杂区；电场优化结构，设于所述第一阱区远离所述衬底结构正面一侧的所述衬底结构内；其中，所述衬底结构、所述第二阱区和所述第一掺杂区为第一掺杂类型，所述第一阱区、所述源区和所述漏区为第二掺杂类型。
本文源自：金融界
作者：情报员
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