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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及其制造方法”的专利，公开号CN120187024A，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的半导体存储装置具备积层体、半导体层、第1绝缘膜、电荷储存膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、及绝缘部。积层体是在第1方向上交替积层有电极层与绝缘层的积层体。半导体层沿着第1方向配置在积层体内。第1绝缘膜沿着第1方向配置在积层体与半导体层之间。电荷储存膜沿着第1方向配置在积层体与第1绝缘膜之间。第2绝缘膜沿着第1方向配置在积层体与电荷储存膜之间。第3绝缘膜配置在绝缘层与第2绝缘膜之间。绝缘部配置在绝缘层的第3绝缘膜侧的端部，从第1方向观察时与电极层重叠。绝缘部的密度与绝缘层的密度不同。
本文源自：金融界
作者：情报员
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