北京
金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种物理气相沉积设备”的专利，公开号CN120174312A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种物理气相沉积设备，应用于半导体技术领域。具体的，通过将物理气相沉积设备中的部分部件，改造成一块或多块电磁铁，然后，在给每一块所述电磁铁电连接一控制电源，可以通过不同电磁铁对应电连接的控制电源，实现对电磁铁的通电电流的大小、有无进行分别控制，使多块电磁铁产生异区可控分布的磁场，亦使镍等具有铁磁性的粒子在磁场的控制下，在反应腔室内的浓度进行重新分布，进而实现在同一沉积工艺中的单个待镀膜基板的不同区域面(异区)上形成厚度不同的同质金属薄膜，亦可通过磁场的控制来简易高效地调节同质金属薄膜的均匀性和填充性能，即实现提高金属薄膜的沉积速度、整体沉积均匀性、沉积效率和精细度的目的。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2095条，此外企业还拥有行政许可87个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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