北京
金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储结构及其制造方法”的专利，公开号CN120166689A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种存储结构及其制造方法，结构包括：存储晶体管、位线和电容，多个存储晶体管在沿第一方向间隔排列，存储晶体管包括沿第二方向相对设置的第一侧和第二侧；位线包括沿第一方向上交替连接的第一部分和第二部分，第一部分位于存储晶体管的第一侧，第二部分位于相邻存储晶体管的第二侧，在沿第一方向上，相邻的存储晶体管分别连接第一部分和第二部分；电容位于存储晶体管在沿第二方向上远离位线的一侧，电容与半导体层电连接。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可33个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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