北京
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储阵列结构”的专利，公开号CN120166690A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列结构，半导体结构包括基底；位于基底上的写晶体管以及读晶体管，写晶体管包括第一栅极、环绕第一栅极的第一半导体层、沿第一方向延伸的写位线以及沿第二方向延伸的写字线，写位线与第一半导体层的第一端电接触，写字线与第一栅极电接触；读晶体管包括第二半导体层、第二栅极、沿第二方向延伸的读位线以及沿第一方向延伸的读字线，第二栅极与第一半导体层的第二端电接触，读位线与第二半导体层沿第一方向的一端电接触；其中，读位线、读字线、写字线以及写位线在基底的正投影之间互不重叠，且写位线与读字线位于第一半导体层沿第三方向的两侧。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可33个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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