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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“垂直式功率半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120164877A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种垂直式功率半导体器件及其制造方法。所述器件包括：衬底，具有彼此相对的二表面；衬底的第一表面上且彼此相邻的第一栅极结构和第二栅极结构；第一介电层，覆盖第一栅极结构、第二栅极结构和衬底的第一表面，第一介电层在第一栅极结构和第二栅极结构之间具有第一开口；电流扩展层，位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的第一开口的底部，电流扩展层具有第一宽度，且第一宽度与第一开口的底部的宽度约略相同；导电插塞，位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，且接触电流扩展层，导电插塞的底部具有第二宽度，且第二宽度小于第一宽度；源极电极层，位于衬底的第一表面上，与导电插塞电性连接；以及漏极电极层，位于衬底的第二表面上。
本文源自：金融界
作者：情报员
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